衰减装置

摘要

本发明的衰减装置可以尽可能地防止衰减器增加时增大通过损失和电路设计面积。本发明的结构特征是具单元级进衰减器4和电流源电路20₁、20₂、20₃，单元级进衰减器具有作为开关的FET、与其并联的衰减电阻6和用于关断的电阻7、8；电流源电路20₁、20₂、20₃具有电流源FET23₁、23₂、23₃并用电流源FET控制流入作为开关的FET的栅极的电流值。

主权项

1.一种衰减装置，包括：输入端子；输出端子；一个单元级进衰减器，它具有连接在上述输入端子和输出端子之间的作为开关的FET，该开关FET的控制端子与控制信号端子直接相连而无需中间电阻；以及多个电源电路，每一个用来在其供压端子处通过预定大小的电流路径开/关上述开关FET的输出侧，以控制流过开关FET的控制栅电流，并控制开关FET的导通状态的电阻，且至少一个电源电路是导通的。