| 发明名称 | 用于转移薄半导体层的工艺和使用这种转移工艺获得施主晶片的工艺 | ||
| 摘要 | 一种用于将连续薄层从施主晶片的半导体材料转移到接收晶片的工艺包括以下步骤：(a)组装由半导体材料构成的体片和支撑片，以便形成具有所述半导体材料的施主层和支撑层的施主晶片；(b)在施主层中形成薄弱区；(c)将施主晶片经过施主层的自由面结合到接收晶片上；(d)在薄弱区中进行分离，由此半导体材料薄层从施主晶片转移到接收晶片上；和(e)在不破坏施主晶片的支撑层的情况下重复操作(b)到(d)。还提供用于获得施主晶片的工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN1427449A | 申请公布日期 | 2003.07.02 |
| 申请号 | CN02151892.0 | 申请日期 | 2002.12.20 |
| 申请人 | S.O.I.泰克绝缘体硅技术公司 | 发明人 | 法布里斯·莱特尔特雷;施鲍特·莫里斯 |
| 分类号 | H01L21/00 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1、一种用于将连续薄层从施主晶片的半导体材料转移到接收晶片的工艺，其特征在于包括以下步骤：(a)组装由半导体材料构成的体片和支撑片，以便形成构成施主晶片并包括所述半导体材料的施主层和支撑层的机械稳定组件；(b)在施主层中控制深度处形成薄弱区；(c)将施主晶片通过所述施主晶片的施主层的自由面结合到接收晶片上；(d)在施主层的薄弱区中进行分离，由此半导体材料薄层从施主晶片转移到接收晶片上；和(e)在不破坏施主晶片的支撑层的情况下重复操作(b)到(d)。 | ||
| 地址 | 法国贝尔尼恩 | ||