| 发明名称 | 从衬底表面除去碳的方法 | ||
| 摘要 | 本发明是一种通过在分子氯和水蒸汽气氛加热从衬底上去除如碳、金属元素等材料的方法。在优选实施例中，从Si或GaAs衬底材料的表面去除碳残留物。 | ||
| 申请公布号 | CN1113393C | 申请公布日期 | 2003.07.02 |
| 申请号 | CN97110296.1 | 申请日期 | 1997.03.28 |
| 申请人 | 普莱克斯技术有限公司 | 发明人 | Ａ·Ｅ·荷尔马;Ｍ·Ｍ·利特温;Ｋ·Ｂ·阿尔博特 |
| 分类号 | H01L21/30 | 主分类号 | H01L21/30 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张元忠 |
| 主权项 | 1.一种从衬底表面去除光刻胶的方法，所述方法包括以下步骤：a)对所述表面施加激光束，使光刻胶从所述表面消融，但有碳残留；然后b)通过在水蒸汽和分子氯气的气氛中在没有UV光下，以低于200℃的温度加热所述晶片去除所述表面上的碳；所述蒸气与分子氯气的摩尔比为1∶1-1∶15。 | ||
| 地址 | 美国康涅狄格州 | ||