半导体器件及其制造方法

摘要

在用激光辐照退火来制作半导体器件中，同时使线状激光沿垂直于一条直线的方向扫描，来完成对半导体材料的退火。在此状态下，因为在对应于一条直线方向的光束横的方向上的退火效果与扫描方向上的退火效果有2倍以上的差异，使多个半导体元件沿线状激光辐照的一直线方向形成。另外，使连接薄膜晶体管的源和漏区的一直线方向与线状激光的线条方向对准。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在一衬底上形成半导体膜；以具有第一能量密度的第一线型激光第一次辐照所述半导体膜；以具有第二能量密度的第二线型激光第二次辐照所述半导体膜；以及用所述半导体膜形成多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管每一个都具有源和漏区和插置在其间的沟道区，其中连接所述源和漏区的直线是沿着各所述第一和第二线型激光的纵方向的直线。