自扫瞄型发光元件阵列晶片及其制造方法、光写头暨光印刷机

摘要

本发明提供自扫瞄型发光元件阵列，使用Si作为构造材料，使其形成在S基板上。在Si基板30上形成晶格不匹配缓冲层32。在晶格不匹配缓冲层32上，利用磊晶成长法，顺序的积层n型AlGaAs层14，p型AlGaAs层16，n型AlGaAs层18，和p型AIGaAs层20。在AlGaAs层20上设置阳极电极22，在AlGaAs层18上设置闸极电极24，和在GaAs基板之背面设置阴极电极26。