半导体发光装置

摘要

一种具有依序地形成在一n型砷化镓(GaAs)基材11上之一下覆盖层12、一主动层13、一p型磷化镓(GaP)层14以及一上覆盖层15之半导体发光装置。该p型磷化镓层14在传导带中的能量比该上覆盖层15高0.10电子伏特(eV)，其使得电子从该主动层13脱离更加困难。这导致在该主动层13内的电子和电洞间之辐射性复合(radiativerecombination)的可能性增加，因此，半导体发光装置的亮度被改善。该p型磷化镓层14在一具有一短波长的半导体发光装置中是尤其有效的。