用于异接面双极性电晶体的方法与结构

摘要

依据一揭示实施例，形成一重掺杂下层集极。随后，一集极系制造于该重掺杂下层集极上，其中该集极包含一中度掺杂集极层邻近该下层集极及一低掺杂集极层在该中度掺杂集极层上。该中度掺杂集极层及该低掺杂集极层均可以分别包含被掺杂有范围约5×10^16cm^-3至约1×10^18cm^-3及于约1×10^16cm^-3至约3×10^16cm^-3之矽的砷化镓。随后，一基极系成长于该集极上，及一射极系沉积于该基极上。HBT的集极防止空乏区到达下层集极，而不曾不当地妨碍空乏区的扩散。结果，防止了于下层集极的丝化，同时，仍保持HBT的效能为最佳化。