| 主权项 |
1.一种锗矽化镍矽锗积体电路装置,其特征为其包含:位于底质上的矽锗层;及位于该矽锗层上的锗矽化镍层,其中,该锗矽化镍层中包括安定用的金属,其中,该安定用金属选自铱和钴。2.如申请专利范围第1项之装置,其中,该锗矽化镍层中的该安定用金属原子百分比在2原子%至25原子%范围内。3.如申请专利范围第1项之装置,其中,在迅速热锻链温度400至800℃范围内,该装置的薄层电阻低于50欧姆/平方英寸。4.如申请专利范围第1项之装置,其中,迅速热锻链温度高于800℃时,该装置的薄层电阻低于50欧姆/平方英寸。5.如申请专利范围第1项之装置,其中,该锗矽化镍和该矽锗定义结构Ni(SixGe1-x)y/SixGe1-x,其中,x在0.1至0.9范围内,y选自1和2。6.如申请专利范围第1项之装置,其中,该锗矽化镍层定义厚度范围为50至350埃。7.如申请专利范围第1项之装置,其中,该装置包括接点深度低于51奈米的超浅连接。8.一种锗矽化镍矽锗积体电路装置,其特征为其包含:位于底质上的矽锗层;及位于该矽锗层上的锗矽化镍层,其中,该锗矽化镍层中包括安定用的金属,且其中,该装置在整个迅速热锻链温度400至800℃范围内的薄层电阻低于50欧姆/平方英寸。9.如申请专利范围第8项之装置,其中,该安定用金属选自铱和钴。10.如申请专利范围第9项之装置,其中,该锗矽化镍层中的该安定用金属原子百分比在2原子%至25原子%范围内。11.如申请专利范围第8项之装置,其中,迅速热锻链温度高于800℃时,该装置的薄层电阻低于50欧姆/平方英寸。12.如申请专利范围第8项之装置,其中,该锗矽化镍和该矽锗定义结构Ni(SixGe1-x)y/SixGe1-x,其中,x在0.2至0.4范围内,y选自1和2。13.如申请专利范围第8项之装置,其中,该锗矽化镍层定义厚度范围为50至350埃。14.如申请专利范围第8项之装置,其中,该装置包括接点深度低于51奈米的超浅连接。15.一种制造锗矽化镍矽锗装置之方法,其特征为其步骤包含:准备底质;在该底质上形成矽锗层;使镍和安定用的金属淀积于该矽锗层上;锻链该镍和该安定用金属而形成锗矽化镍矽锗装置,其中,该安定用金属掺入该锗矽化镍中。16.如申请专利范围第15项之方法,其中,该安定用金属选自铱和钴。17.如申请专利范围第15项之方法,其中,该锗矽化镍层中的该安定用金属原子百分比在2原子%至25原子%范围内。18.如申请专利范围第15项之方法,其中,该淀积该镍和该安定用金属的步骤包含选自化学蒸镀和物理蒸镀的淀积法。19.如申请专利范围第15项之方法,其中,使该安定用金属和镍淀积于该矽锗层上的该步骤包含淀积10至20埃厚的安定用金属层及淀积50至100埃厚的镍层。20.如申请专利范围第15项之方法,其中,锻链该镍和该安定用金属以形成锗矽化镍矽锗装置的该步骤包含在常压下于300至800℃温度范围内锻链该镍和该安定用金属达10秒钟至2分钟。21.如申请专利范围第20项之方法,其中,该常态环境包含选自氮和惰性环境。图式简单说明:图1是在SiGe上的锗矽化镍之锻链温度与薄层电阻关系图。图2是本发明的一个装置实施例在锻链之前的情况。图3是图2的装置在锻链之后的情况。图4是有锗矽化镍和铱在SiGe上之锻链温度与薄层电阻的关系图。图5是有锗矽化镍和钴在SiGe上之锻链温度与薄层电阻的关系图。图6是本发明之方法的流程图。 |
