发明名称 用于软性线路之液晶聚合物
摘要 本发明系揭示一种提供金属播晶液晶聚合物之方法,包括之步骤为提供液晶聚合物基材,涂布包括硷金属氢氧化物及溶解剂之水溶液以蚀刻液晶聚合物基材,且使用金属之无电金属电镀或真空沉积,将黏附之金属层沉积在蚀刻之液晶聚合物基材上。当使用无电金属电镀时,系将锡(Ⅱ)溶液加于液晶聚合物基材上,接着加上钯(Ⅱ)溶液,以提供金属播晶之液晶聚合物。包括35wt.%至55wt.%硷金属盐及10wt.%至35wt.%溶解剂之水溶液在温度约50℃至120℃下提供液晶聚合物之蚀刻剂。使用前述蚀刻剂组合物可形成包括具有穿孔以及相关形状孔洞之液晶聚合物软性电路。
申请公布号 TW540259 申请公布日期 2003.07.01
申请号 TW091120042 申请日期 2002.09.03
申请人 3M新设资产公司 发明人 杨璐;毛古平
分类号 H05K1/03 主分类号 H05K1/03
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种制备金属播晶液晶聚合物之方法,包括之步骤为:提供一种液晶聚合物基材;将包括硷金属氢氧化物及溶解剂之水溶液加于该液晶聚合物基材上以提供经蚀刻之液晶聚合物基材;将黏附金属层沉积在该经蚀刻之液晶聚合物基材上。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该硷金属氢氧化物系选自氢氧化钠及氢氧化钾。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该溶解剂系选自乙二胺、丙二胺、乙醇胺及丙醇胺。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该水溶液包括35wt.%至55wt.%之该硷金属盐,且较佳为40wt.%至50wt.%之该硷金属盐。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该水溶液包括10wt.%至35wt.%之该溶解剂,且较佳为15wt.%至30wt.%之该溶解剂。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该水溶液之涂布所需之时间在温度为50℃至120℃,较佳70℃至95℃下为10秒至10分钟。
地址 美国