| 主权项 |
1.一种用以阳极化在电解液中欲处理之基体之阳极化装置,包含:一处理槽,其用以储放电解液,该处理槽在一壁中具有一开口;一负电极,其被配置于该处理槽中,与开口相对;及一正电极,其接触欲处理之基体之一表面,该欲处理之基体被配置而自处理槽内关闭该开口,该表面经由该开口向该处理槽外开放。2.如申请专利范围第1项所述之装置,其中,该处理槽可支承欲处理介于负电极及该欲处理之基体之间之至少另一基体,并同时阳极化欲处理之多个基体。3.如申请专利范围第1项所述之装置,更包含移动机构用以使正电极接近或离远欲处理之基体。4.如申请专利范围第3项所述之装置,其中,该移动机构包含一用以支承正电极之支承构件、一配置在介于正电极及支承构件之间用以弹性支承该正电极之弹簧,及一用以使该支承构件之驱动源。5.如申请专利范围第4项所述之装置,其中,该驱动源包含一空气气缸。6.如申请专利范围第5项所述之装置,其中,介于该正电极及欲处理之基体间之接触在侦得用于该空气气缸之一驱动信号时被证实。7.如申请专利范围第4项所述之装置,其中,该驱动源包含一柱塞。8.如申请专利范围第7项所述之装置,其中,介于该正电极及欲处理之基体间之接触在侦得用于该柱塞之一驱动信号时被证实。9.如申请专利范围第3项所述之装置,其中,介于该正电极及欲处理之基体间之接触藉由填充电解液于该处理槽中,及侦得介于该正电极及该负电极间之电连接而被证实。10.如申请专利范围第3项所述之装置,其中,该正电极系以金属板所制,并与欲处理之基体经由一材料所制之中间基体接触,该材料具有低电阻,且不会污染欲处理之基体。11.如申请专利范围第10项所述之装置,其中,该中间基体系以与欲处理之基体相同之材料所制。12.如申请专利范围第11项所述之装置,其中,欲处理之基体及该中间基体系均以单晶矽所制。13.如申请专利范围第11项所述之装置,其中,该中间基体具有实际与欲处理之基体相同之大小的尺寸。14.如申请专利范围第1项所述之装置,其中,该正电极具有实际与欲处理之基体相同之大小的尺寸。15.一种用以阳极化欲在电解液中处理之基体之阳极化方法,包含:安置步骤,其安置欲处理之基体于一处理槽内,该处理槽之一壁上具有一开口,该开口由该欲处理之基体封闭之;供应步骤,其供应电解液入处理槽中;接触步骤,其使正电极与欲处理之基体之一部份接触,其经由该开口向处理槽外开放;及处理步骤,其使电流流在介于处理槽中之正电极及与欲处理之基体成相对配置之负电极之间,以阳极化欲处理之基体。16.如申请专利范围第15项所述之方法,更包含:第一排放步骤,其排放处理槽中之电解液;清洁步骤,其供应纯水入处理槽中以清洁欲处理之基体;第二排放步骤,其排放处理槽中之纯水;分离步骤,其分开正电极及欲处理之基体;及移出步骤,其自处理槽中移出欲处理之基体。17.如申请专利范围第15项所述之方法,其中,处理槽可支承至少另一欲处理之介于负电极及欲处理之基体之间的基体,并同时阳极化欲处理之多个基体。18.如申请专利范围第15项所述之方法,更包含接触步骤,在欲处理之基体安置于处理槽中后,使正电极与基体接触。19.如申请专利范围第18项所述之方法,其中,介于该正电极及欲处理之基体间之接触在侦得作为正电极之驱动源之一空气气缸之一驱动信号时被证实。20.如申请专利范围第18项所述之方法,其中,介于该正电极及欲处理之基体间之接触在侦得作为正电极之驱动源之一柱塞之一驱动信号时被证实。21.如申请专利范围第18项所述之方法,其中,介于该正电极及欲处理之基体间之接触藉由填充电解液于处理槽中,及侦得介于正电极及负电极间之电连接而被证实。22.如申请专利范围第18项所述之方法,其中,该正电极系以金属板所制,并与欲处理之基体经由一材料所制之中间基体接触,该材料具有低电阻,且不会污染欲处理之基体。23.如申请专利范围第22项所述之方法,其中,该中间基体系以与欲处理之基体相同之材料所制。24.如申请专利范围第22项所述之方法,其中,欲处理之基体及该中间基体系均以单晶矽所制。25.如申请专利范围第22项所述之方法,其中,该中间基体具有实际与欲处理之基体相同之大小的尺寸。26.如申请专利范围第15项所述之方法,其中,该正电极具有实际与欲处理之基体相同之大小的尺寸。图式简单说明:图1A至1F显示制造半导体基体之步骤;图2为平面图,显示一实施例之阳极化装置之整个配置;图3为图2之阳极化槽部份之放大断面图;图4为流程图,用以说明阳极化装置之操作;及图5显示普通阳极化装置之配置。 |
