制作半导体装置之方法

摘要

本发明提供一种用以藉由氧化前引入低温氨气，而达成矽氧化的控制之技术。此结果为后续矽氧化为较慢氧化速率，并且为较高氮含量。此较高氮含量对于闸极介电质特别有用，因为其扮演着硼的障壁，并且提供抵抗不必要之氧化。结果为跨越晶圆上具有改良后均匀厚度闸极介电质之电晶体，以达成较紧密临限电压分布，减少之临限电压偏移，以及改善之崩溃时间。

主权项

1.一种用以制造半导体装置之方法,包含:提供一具有上表面之半导体基板;在低于摄氏400度以下温度,将氨气引用到上表面;以及引用氨气之后,对于上表面进行氧化。2.如申请专利范围第1项之方法,其中在低于摄氏350度以下温度发生引用氨气。3.如申请专利范围第1项之方法,其中对于上表面进行氧化包含:引用氧化氮;以及引用蒸气。4.如申请专利范围第3项之方法,其中在引用氧化氮之后发生引用蒸气。5.如申请专利范围第4项之方法,其中在摄氏800度以上发生引用蒸气。6.如申请专利范围第5项之方法,其中在低于摄氏350度以下温度发生引用氨气。7.如申请专利范围第6项之方法,其中对于上表面进行氧化以形成一介电质层,更进一步包含:于介电质层上形成一导体;对于导体与介电质层图形定义以形成闸极与闸极氧化物,其中闸极位于闸极上方;以及形成一源极与汲极相邻接到闸极,并且闸极下方与源极和汲极之间留下一通道。8.一种用以制造半导体装置之方法,包含:提供一矽结构;在低于摄氏400度以下温度,将氨气引用到矽结构;以及引用氨气之后将矽结构暴露至氧中。9.一种用以制造半导体装置之方法,包含:提供一结构;当排除氧的存在时,在低于摄氏400度以下温度,将氨气引用到矽结构;以及引用氨气之后将此结构暴露至氧中。10.如申请专利范围第9项之方法,其中此结构为矽基板上表面,并且氧包含于氧化氮中。图式简单说明:图1展列抑制氧化处理期间,半导体基板部分切面视图;图2展列氧化形成之后,半导体基板部分切面视图;图3展列半导体基板装置形成之后,半导体基板部分切面视图;以及图4展列根据本发明一实施例,半导体基板退火处理。