| 主权项 |
1.一种氧化矽对氮氧化矽之高选择性的蚀刻方法,该方法至少包含:混和至少氟化碳、氧化剂、及钝性气体作为蚀刻制程气体送入一蚀刻反应室,其中,该氟化碳的流速约介于5sccm至100sccm之间,该氧化剂的流速约介于5sccm至100sccm之间和该钝性气体的流速约介于10sccm至1000sccm之间。2.如申请专利范围第1项所述之氧化矽对氮氧化矽之高选择性的蚀刻方法,其中该氟化碳系选自于由CF4.C4F8.C5F8.C4F6与其任意组合所组成之族群。3.如申请专利范围第1项所述之氧化矽对氮氧化矽之高选择性的蚀刻方法,其中该氧化剂至少包含氧气。4.如申请专利范围第1项所述之氧化矽对氮氧化矽之高选择性的蚀刻方法,其中该钝性气体系选自于由氦气、氩气与其任意组合所组成之族群。5.如申请专利范围第1项所述之氧化矽对氮氧化矽之高选择性的蚀刻方法,其中该蚀刻反应室所使用之RF功率介于200至5000w之间。6.如申请专利范围第1项所述之氧化矽对氮氧化矽之高选择性的蚀刻方法,其中该蚀刻反应室之温度介于摄氏0至400度之间。7.一种氧化矽对氮氧化矽之高选择性的蚀刻方法,该方法至少包含:混和至少氟化碳、氧化剂、及钝性气体作为蚀刻制程气体送入一蚀刻反应室,其中,该氟化碳的流速约介于5sccm至100sccm之间,该氧化剂的流速率约介于10sccm至1000sccm之间和该钝性气体的流速约介于10sccm至1000sccm之间。8.如申请专利范围第7项所述之氧化矽对氮氧化矽之高选择性的蚀刻方法,其中该氟化碳系选自于由CF4.C4F8.C5F8.C4F6与其任意组合所组成之族群。9.如申请专利范围第7项所述之氧化矽对氮氧化矽之高选择性的蚀刻方法,其中该氧化剂更包含一氧化碳。10.如申请专利范围第7项所述之氧化矽对氮氧化矽之高选择性的蚀刻方法,其中该钝性气体系选自于由氦气、氩气与其任意组合所组成之族群。11.如申请专利范围第7项所述之氧化矽对氮氧化矽之高选择性的蚀刻方法,其中该蚀刻反应室所使用之RF功率介于200至5000w之间。12.如申请专利范围第7项所述之氧化矽对氮氧化矽之高选择性的蚀刻方法,其中该蚀刻反应室之温度介于摄氏0至400度之间。13.一种氧化矽对氮氧化矽之高选择性的蚀刻方法,该方法至少包含:混和至少氟化碳、氧化剂、及钝性气体作为蚀刻制程气体送入一蚀刻反应室,其中,该氟化碳的流速约介于5sccm至100sccm之间,该氧化剂的流速约介于5sccm至1000sccm之间和该钝性气体的流速约介于5sccm至1000sccm之间,该该蚀刻反应室所使用之RF功率约介于200至5000w之间,该蚀刻反应室之温度介于摄氏0至400度之间。14.如申请专利范围第13项所述之氧化矽对氮氧化矽之高选择性的蚀刻方法,其中该氟化碳系选自于由CF4.C4F8.C5F8.C4F6与其任意组合所组成之族群。15.如申请专利范围第13项所述之氧化矽对氮氧化矽之高选择性的蚀刻方法,其中该氧化剂至少包含氧气。16.如申请专利范围第15项所述之氧化矽对氮氧化矽之高选择性的蚀刻方法,其中该氧气之流速率约介于5sccm至100sccm之间。17.如申请专利范围第13项所述之氧化矽对氮氧化矽之高选择性的蚀刻方法,其中该氧化剂更包含一氧化碳。18.如申请专利范围第17项所述之氧化矽对氮氧化矽之高选择性的蚀刻方法,其中该一氧化碳之流速率约介于10sccm至1000sccm之间。19.如申请专利范围第13项所述之氧化矽对氮氧化矽之高选择性的蚀刻方法,其中该钝性气体系选自于由氦气、氩气与其任意组合所组成之族群。图式简单说明:第1A图至第1E图为本发明之一具体实施例的连续图解。 |
