高功率发光二极体制造方法

摘要

本发明揭示一种具有金属反射层，及以电镀方法形成金属基板的高功率发光二极体制造方法，本发明由于采用了金属反射层，因此，可以避免基板吸光的问题，发光亮度也可以显着的提升，且可以形成一P，N电极分别在发光二极体上下二侧的垂直结构，又由于将半导体基板转换成金属基板，也大幅地改善了发光二极体的散热特性，使得发光二极体可以在较高的电流下操作。

主权项

1.一种高功率发光二极体制造方法,包括:(a)形成至少一欧姆接触电极,于该发光二极体磊晶片远离基板一面的步骤;(b)于该欧姆接触电极,镀上一金属光反射层的步骤;(c)于该金属光反射层上,镀上一金属基板层的步骤;(d)移除原位于该磊晶片基板的步骤;(e)于该磊晶片所曝露的该磊晶层上,制作至少一欧姆接触电极的步骤;及(f)将该发光二极体磊晶片切割成晶粒的步骤。2.如申请专利范围第1项所述的方法,其中该金属光反射层可为金(Au)。3.如申请专利范围第1项所述的方法,其中该金属光反射层可为铝(Al)。4.如申请专利范围第1项所述的方法,其中该金属光反射层可为银(Ag)。5.如申请专利范围第1项所述的方法,其中该金属基板层系具有导热良好的特性。6.如申请专利范围第1项所述的方法,其中该金属基板层可为铝(Al)。7.如申请专利范围第1项所述的方法,其中该金属基板层可为铜(Cu)。8.如申请专利范围第1项所述的方法,其中该(c)步骤,系以电镀的方式,镀上一金属基板层。9.如申请专利范围第1项所述的方法,其中该(d)步骤,系以蚀刻方式移除原位于该磊晶片的基板。图式简单说明:第一图为本发明砷化铝镓(AlGaAs)发光二极体磊晶片构造图。第二图为本发明砷化铝镓(AlGaAs)发光二极体磊晶片将P型砷化镓基板移除后的构造图。