| 主权项 |
1.一种以自对准制程(self-aligned process)制造不连续式(discrete)氮化物唯读记忆体(nitride programmable read-only memory,NROM)的记忆胞(cell)之制造方法,包括:提供一基板(substrate)并形成一ONO层于该基板上,该ONO层具有一上氧化物层(top oxide layer)、一氮化物层(nitride layer)及一下氧化物层(bottom oxide layer);定义该上氧化物层;定义复数个可弃式间隔物(disposable spacers);以自对准制程植入(implanting)一记忆胞区块(pocket)或一内埋位元线(buried bit line);根据该些可弃式间隔物(disposable spacers)定义该氮化物层;根据不连续之该氮化物层定义该下氧化物层,用以形成不连续之复数个柱状物(pillars),使得两个不连续柱状物之间形成一通道(channel);形成复数个通道氧化物于该些通道中;以及形成一氧化物层于不连续之该些通道氧化物上及该氮化物层上。2.如申请专利范围第1项所述之以自对准制程制造不连续式NROM的记忆胞之制造方法,其中定义该上氧化物层之步骤更包括以下步骤:形成一光阻层(photoresist)于该上氧化层上;置放一光罩(mask)于该光阻层上方;蚀刻该上氧化层;以及移除该光阻层。3.如申请专利范围第1项所述之以自对准制程制造不连续式NROM的记忆胞之制造方法,其中定义该可弃式间隔物之步骤更包括以下步骤:等向性沈积(conformal deposition)一可弃式薄膜(film)于该上氧化物层上;非等向性蚀刻该可弃式薄膜;以及移除不连续之该上氧化物层。4.如申请专利范围第3项所述之以自对准制程制造不连续式NROM的记忆胞之制造方法,其中该可弃式薄膜系一多晶矽(polysilicon)。5.如申请专利范围第1项所述之以自对准制程制造不连续式NROM的记忆胞之制造方法,其中定义该氮化物层之步骤更包括蚀刻该氮化物层并移除该可弃式间隔物。6.如申请专利范围第1项所述之以自对准制程制造不连续式NROM的记忆胞之制造方法,其中该氧化物层系经由直接氧化该氮化物层之方式、或沈积方式,或两者兼具之方式而产生。7.如申请专利范围第1项所述之以自对准制程制造不连续式NROM的记忆胞之制造方法,其中形成该氧化物层于不连续之该些通道氧化物上及该氮化物层上之步骤后,更以口闸极(gate electrode)覆盖该氧化物层。8.如申请专利范围第7项所述之以自对准制程制造不连续式NROM的记忆胞之制造方法,其中该闸极系一多晶矽。9.如申请专利范围第1项所述之以自对准制程制造不连续式NROM的记忆胞之制造方法,其中定义该上氧化层之步骤更包括以下步骤:形成一特定图案光阻层;去除残渣(descumming),以净化该特定图案光阻层;根据已去除残渣之该特定图案光阻层蚀刻该上氧化物层;以及移除该特定图案光阻层。图式简单说明:第1图,其绘示乃一般NROM记忆胞的剖面图。第2A~2M图绘示乃依照本发明之实施例一之以自对准制程制造不连续式NROM的记忆胞之制造方法流程图。第3A~3P图绘示乃依照本发明之实施例二之以自对准制程制造不连续式NROM的记忆胞之制造方法流程图。 |
