| 主权项 |
1.一种加速具有储存单元阵列之磁阻性储存装置(MRAM)之老化所用之电路配置,许多由硬磁性膜(HM)与软磁性膜(WM)所构成之储存单元(Z)是被分配在两条控制线(WL,BL)之交点上,而控制信号则是经由第一控制单元(1,2)而被输入;其特征为:一平行于第一控制单元(1,2)而设置第二控制单元(T5,T6),且一种较大之电流可以经由此第二控制单元输入所属之控制线(WL)中,此种电流比经由第一控制单元(1,2)输入之电流还大。2.如申请专利范围第1项之电路配置,其中第二控制单元(T5,T6)是与靠近软磁性膜(WM)所配置之控制线(WL)相连接。3.如申请专利范围第1项或2项之电路配置,其中第二控制单元是由驱动电晶体T5与T6所组成。4.如申请专利范围第1项之电路配置,其中第一控制单元由两个驱动电晶体(T1,T2;T3,T4)之串连电路所组成。5.如申请专利范围第3项之电路配置,其中第二控制单元之驱动电晶体(T5,T6)被配置成与第一控制单元之驱动电晶体(T1或T4)平行。6.如申请专利范围第5项之电路配置,其中互相平行之驱动电晶体(T1与T5;T4与T6)具有相同之通道导电形式。7.一种加速具有储存单元阵列之磁阻性储存装置(MRAM)之老化所用之方法,许多由硬磁性膜(HM)与软磁性膜(WM)所构成之储存单元(Z)是被分配在两条控制线(WL,BL)之交点上,而控制信号则是经由第一控制单元(1,2)被输入;其特征为:─一种较大之电流将被输入靠近软磁性膜(WM)所配置之控制线(BL)中,此种电流比一般读∕写情况下所输入之电流大。8.如申请专利范围第7项之方法,其中靠近硬磁性膜(HM)所配置之另一控制线(BL)会被断路。图式简单说明:附图一乃是一个根据本发明所提出的可执行的电路配置范例。 |
