| 主权项 |
1.一种只写一次光记录媒体,包含:一透明基板;第一热阻隔层,系由具热阻隔效用之材料形成于该透明基板上;一记录层,系由微混合物形成于该第一热阻隔层之上,该微混合物包含具高反射系数之非结晶相的第一种元素、以及非结晶相的第二种元素,以受到光热后与该非结晶相的第一种元素产生结晶现象,而形成不同反射系数之记录点;第二热阻隔层,系由具热阻隔效用之材料形成于该记录层之上;以及一保护层,系形成于该第二热阻隔层之上。2.如申请专利范围第1项所述之只写一次光记录媒体,其中上述之非结晶相的第一种元素系包含选择自镍(Ni)、铜(Cu)、锌(Zn)、钨(W)、钽(Ta)、金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、镓(Ga)、铁(Fe)、锰(Mn)、铬(Cr)、钒(V)、钛(Ti)、铟(In)、锑(Te)等元素所组成之群组中的至少一元素。3.如申请专利范围第1项所述之只写一次光记录媒体,其中上述之非结晶相的第二种元素系包含选择自矽(Si)、锗(Ge)、碳(C)、锡(Sn)、铅(Pb)、镁(Mg)等元素所组成之群组中的至少一元素。4.如申请专利范围第1项所述之只写一次光记录媒体,其中上述之非结晶相的第二种元素所占的比例系高于上述之第一种元素所占的比例。5.如申请专利范围第1项所述之只写一次光记录媒体,其中上述之第一及第二热阻隔层之材料选自氮化矽(SiNx),氧化矽(SiOx),硫化锌(ZnSx),氮化锗(GeNx),碳化矽(SiC),氧化铬(CrOx)或其混合之材料。6.如申请专利范围第1项所述之只写一次光记录媒体,其中上述之记录点与上述之第一种元素所形成之团聚体系具有不同的反射率。7.一种只写一次光记录媒体之制作方法,至少包含下列步骤:形成具有沟槽之透明基板;溅镀或蒸镀第一热阻隔层于该透明基板具有沟槽之表面;混合溅镀一微混合物所形成之记录层于该透明基板上,该微混合物包含至少两种非结晶相之第一元素与第二元素;溅镀或蒸镀第二热阻隔层于该记录层上;及形成一层保护层于该第二热阻隔层上。8.如申请专利范围第7项所述之只写一次光记录媒体之制作方法,其中上述之微混合物包含具高反射系数之非结晶相的第一种元素、以及非结晶相的第二种元素,以受到光热后与该非结晶相的第一种元素产生结晶现象。9.如申请专利范围第7项所述之只写一次光记录媒体之制作方法,其中上述之第一种元素系包含选择自镍(Ni)、铜(Cu)、锌(Zn)、钨(W)、钽(Ta)、金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、镓(Ga)、铁(Fe)、锰(Mn)、铬(Cr)、钒(V)、钛(Ti)、铟(In)、锑(Te)等元素所组成之群组中的至少一元素。10.如申请专利范围第7项所述之只写一次光记录媒体之制作方法,其中上述之第二种元素系包含选择自矽(Si)、锗(Ge)、碳(C)、锡(Sn)、铅(Pb)、镁(Mg)等元素所组成之群组中的至少一元素。11.如申请专利范围第7项所述之只写一次光记录媒体之制作方法,其中上述之非结晶相的第二种元素所占的比例系高于上述之第一种元素所占的比例。12.如申请专利范围第7项所述之只写一次光记录媒体之制作方法,其中上述之第一及第二热阻隔层之材料系选自氮化矽(SiNx),氧化矽(SiOx),硫化锌(ZnSx),氮化锗(GeNx),碳化矽(SiC),氧化铬(CrOx)或其混合之材料。图式简单说明:图1为本发明之WORM型态光记录媒体之剖面结构的示意图。图2为本发明之WORM型态光记录媒体受烧录雷射光束照射时,在记录层产生变化之示意图。图3为本发明利用记录层中所产生之不同反射率之雷射光束以读取资料的示意图。 |
