| 主权项 |
1.一种监测机械手臂(main arm)传送精确度的方法,该方法包含有下列步骤:提供一表面包含有复数个标记(mark)之晶片,该复数个标记与该晶片之圆心均相距一第一距离,且该复数个标记互相对称;利用一旋涂(spin-on)装置将该晶片表面涂布(coat)一光阻层;利用一晶边清洗(edge bevel rinse, EBR)装置清洗该晶片边缘之光阻层,以于该晶片之上形成一圆形光阻层图案以及一环绕该圆形光阻层图案之环状区域(ring region),且该圆形光阻层图案之各外缘(outer edge)距离该晶片之圆心至少一第二距离;利用一烤乾(bake)装置将该晶片表面之该光阻层烤乾;利用一光罩(mask)以及一曝光(expose)装置对该晶片进行曝光;利用一显影(develop)装置对该晶片进行显影;以及进行一显影后检查(after develop inspection, ADI)步骤,以测量该第一距离与各该第二距离之差値,进而监测该机械手臂(main arm)的传送精确度。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该晶片系为一膜厚控片(film thickness control wafer)。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该晶边清洗装置清洗该光阻层之方法包含有:将一喷嘴(nozzle)移至一等待(standby)位置;利用该机械手臂将该晶片放置于该喷嘴下方的晶片旋转位置;将该喷嘴移动至一第一位置,且该第一位置系位于该晶片正上方投影位置以外之区域;以及将该晶片以定速旋转,并使该喷嘴于该第一位置以及一第二位置之间往覆(back and forth)移动,以清洗该晶片边缘之光阻层。4.如申请专利范围第3项之方法,其中该第二位置于该晶片上之投影位置与该晶片之圆心相距约为该第二距离。5.如申请专利范围第1项之方法,其中各该标记之中均另包含有至少一互相对称的子标记,且各该子标记与该晶片之圆心均相距一第三距离。6.如申请专利范围第5项之方法,其中该第一距离与各该第二距离之差値相等,且各该第二距离均大于该第三距离。7.如申请专利范围第5项之方法,其中各该第二距离均小于该第三距离。8.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一距离与各该第二距离之差値不相等。9.如申请专利范围第1项之方法,其中各该第二距离均大于该第一距离。10.一种检测晶边清洗(edgebevel rinse, EBR)以及晶边曝光(wafer edge exposure, WEE)异常的方法,该方法包含有下列步骤:提供一表面包含有复数个标记(mark)之晶片,该复数个标记与该晶片之圆心均相距一第一距离,且该复数个标记互相对称;于该晶片表面形成一薄膜层;利用一晶边清洗(edge bevel rinse, EBR)装置清洗靠近该晶片边缘之该薄膜层,以于该晶片之上形成一圆形薄膜层图案以及一环绕该圆形薄膜层图案之环状区域(ring region),且该圆形薄膜层图案之各外缘(outer edge)距离该晶片之圆心至少一第二距离;以及进行一检查步骤,以测量该第一距离与各该第二距离之差値。11.如申请专利范围第10项之方法,其中该薄膜层系为一光阻层。12.如申请专利范围第11项之方法,其中该晶边清洗装置清洗该光阻层之方法包含有:将一喷嘴(nozzle)移至一等待(standby)位置;利用该机械手臂将该晶片放置于该喷嘴下方的晶片旋转位置;将该喷嘴移动至一第一位置,且该第一位置系位于该晶片正上方投影位置以外之区域;以及将该晶片以定速旋转,并使该喷嘴于该第一位置以及一第二位置之间往覆(back and forth)移动,以清洗该晶片边缘之光阻层。13.如申请专利范围第12项之方法,其中该第二位置于该晶片上之投影位置与该晶片之圆心相距约为该第二距离。14.如申请专利范围第10项之方法,其中该第一距离与各该第二距离之差値相等。15.如申请专利范围第14项之方法,其中该第一距离与各该第二距离之差値大于一规格値。16.如申请专利范围第14项之方法,其中该第一距离与各该第二距离之差値小于一规格値。17.如申请专利范围第14项之方法,其中该第一距离与各该第二距离之差値等于一规格値。18.如申请专利范围第10项之方法,其中该第一距离与各该第二距离之差値不相等。图式简单说明:图一为习知黄光制程之流程图。图二为晶边清洗制程的示意图。图三为本发明黄光制程之流程图。图四A至图四F为本发明控片的示意图。 |
