形成低应力无侵蚀区形成之浅沟渠隔离侧壁氧化层的方法

摘要

本发明揭露了一种形成低应力无侵蚀区形成之浅沟渠隔离(Shallow Trench Isolation)侧壁氧化层(Sidewall Oxide Layer)的方法。本发明利用氧(Oxygen)与氢氧根(Hydroxyl)进行一ISSG(In SituSteam Generated)制程以在浅沟渠隔离中形成一侧壁氧化层。以本发明之方法形成之侧壁氧化层具有低应力、不会有侵蚀区(Encroachmen)的现象且反应时间也远比传统热氧化制程短。

主权项

1.一种形成浅沟渠隔离侧壁氧化层的方法,至少包含下列步骤:提供一底材,该底材具有一第一介电层于其上及一第二介电层覆盖该第一介电层;形成一沟渠进入该底材;及执行一ISSG制程以氧化该沟渠之曝露表面,该ISSG制程至少包含引入氧与氢氧根。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之该第一介电层至少包含一二氧化矽层。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之该第一介电层至少包含一矽氧化氮层。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之该第二介电层至少包含一氮化矽层。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之该第二介电层至少包含一矽氧化氮层。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之该沟渠系以一反应性离子蚀刻法形成。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之该ISSG制程系于一快速热制程室中进行。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之该ISSG制程于约700℃至约1200℃之间执行。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之该氧之流量为约1sccm至约30sccm。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之该氢气之流量为约0.1sccm至约15sccm。11.一种形成浅沟渠隔离侧壁氧化层的方法,至少包含下列步骤:提供一底材,该底材具有一第一介电层于其上及一第二介电层覆盖该第一介电层;形成一沟渠进入该底材;及执行一ISSG制程于约700℃至约1200℃之间以氧化该沟渠之曝露表面,该ISSG制程至少包含引入氧与氢氧根。12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中上述之该沟渠系以一反应性离子蚀刻法形成。13.如申请专利范围第11项所述之方法,其中上述之该ISSG制程系于一快速热制程室中进行。14.如申请专利范围第11项所述之方法,其中上述之该氧之流量为约1sccm至约30sccm。15.如申请专利范围第11项所述之方法,其中上述之该氢氧根之流量为约0.1sccm至约15sccm。16.一种形成浅沟渠隔离侧壁氧化层的方法,至少包含下列步骤:提供一底材,该底材具有一第一介电层于其上及一第二介电层覆盖该第一介电层;形成一沟渠进入该底材以一乾式蚀刻法;及执行一ISSG制程于约700℃至约1200℃之间且于一快速热制程室中以氧化该沟渠之曝露表面,该ISSG制程至少包含引入氧与氢氧根。17.如申请专利范围第16项所述之方法,其中上述之该乾式蚀刻法至少包含一反应性离子蚀刻法。18.如申请专利范围第16项所述之方法,其中上述之该氧之流量为约1sccm至约30sccm。19.如申请专利范围第16项所述之方法,其中上述之该氢气之流量为约0.1sccm至约15sccm。20.如申请专利范围第16项所述之方法,其中上述之该快速热制程室至少包含一单晶圆制程室。图式简单说明:第一图显示一传统的浅沟渠隔离之剖面图;第二A图显示两介电层依序形成于一底材上;第二B图显示形成一沟渠进入第二A图中所示的结构与共形生成一介电层于其上的结果;及第三图显示一制程系统。