发明名称 全接触晶圆型态之探测卡
摘要 一种全接触晶圆型态之探测卡,其系在一背板上设有复数个共平面之模组式陶瓷电路基板,其总合面积系大于受测晶圆,用以完全接触该受测晶圆之电极,该些不同区块之模组式陶瓷电路基板系可个别制造,以降低制造成本及提高制程良率。
申请公布号 TW540716 申请公布日期 2003.07.01
申请号 TW091203295 申请日期 2002.03.15
申请人 南茂科技股份有限公司 发明人 刘安鸿;王永和;曾元平;李耀荣
分类号 G01R31/02 主分类号 G01R31/02
代理机构 代理人 张启威 高雄市左营区立文路七十七号十六楼之二
主权项 1.一种全接触晶圆型态之探测卡,包含:一背板;复数个模组式陶瓷电路基板,具有多层电路分布,该些模组式陶瓷电路基板系同平面地设于该背板上;及一面板,其一表面形成有复数个接触端,用以接触晶圆上之电极;其中该些模组式陶瓷电路基板系电性耦合该面板之接触端至该背板。2.如申请专利范围第1项所述之全接触晶圆型态之探测卡,其中该些模组式陶瓷电路基板之总合面积系大于受测晶圆。3.如申请专利范围第1项所述之全接触晶圆型态之探测卡,其中该面板系为一介电薄膜。4.如申请专利范围第1项所述之全接触晶圆型态之探测卡,其中该面板系为一陶瓷基板。5.如申请专利范围第1项所述之全接触晶圆型态之探测卡,其中该面板系为一矽基板。6.如申请专利范围第1项所述之全接触晶圆型态之探测卡,其中该面板系具有电性导通孔。7.如申请专利范围第1项所述之全接触晶圆型态之探测卡,其中该面板之接触端系为探针式导电凸块。8.一种全接触晶圆型态之探测卡,包含:一背板;及复数个模组式陶瓷电路基板,具有多层电路分布,该些模组式陶瓷电路基板系同平面地设于该背板上,该些模组式陶瓷电路基板之一表面具有复数个导接垫,其对应于受测晶圆之所有电极,且该些导接垫系电性耦合至该背板。9.如申请专利范围第8项所述之全接触晶圆型态之探测卡,其中该些模组式陶瓷电路基板之总合面积系大于受测晶圆。10.如申请专利范围第8项所述之全接触晶圆型态之探测卡,其另包含有探针式导电凸块形成于该些导接垫上。图式简单说明:第1图:依本创作之全接触晶圆型态之探测卡,一探测卡之立体分解示意图;第2图:依本创作之全接触晶圆型态之探测卡,一探测卡之分解截面示意图;第3图:依本创作之全接触晶圆型态之探测卡,该探测卡完全接触一晶圆之截面示意图;第4图:依本创作之全接触晶圆型态之探测卡,另一探测卡完全接触另一较小晶圆之截面示意图;及第5图:在美国专利第6,215,321号「晶圆级测试之探测卡、多层陶瓷电路基板及其制造方法」中,一探测卡之分解截面示意图。
地址 新竹市新竹科学工业园区研发一路一号