| 主权项 |
1.一种增加沟槽电容之制程,适用于一具有垫层结构及沟槽之基底,包括下列步骤:于该沟槽侧壁之上部形成一环状绝缘层;施行第一阶段离子植入制程,将离子以特定之入射角度植入该沟槽侧壁,以破坏未被环状绝缘层所覆盖之沟槽侧壁之基底晶格结构;施行第二阶段离子植入制程,将离子垂直植入该沟槽底部,以破坏沟槽底部之基底晶格结构;以及蚀刻去除受到破坏之沟槽内之基底部分。2.如申请专利范围第1项所述之增加沟槽电容之制程,其中该基底系矽基底。3.如申请专利范围第1项所述之增加沟槽电容之制程,其中第一或第二阶段离子植入制程所使用之离子是磷离子、砷离子或钝气离子。4.如申请专利范围第1项所述之增加沟槽电容之制程,其中该特定入射角度系约与法线成0至45度。5.如申请专利范围第1项所述之增加沟槽电容之制程,其中第一或第二阶段离子植入制程中,离子植入能量为5至60KeV之间。6.如申请专利范围第1项所述之增加沟槽电容之制程,其中第一或第二阶段离子植入制程中,离子植入剂量为1E12至1E16 atoms/cm2之间。7.如申请专利范围第1项所述之增加沟槽电容之制程,其中蚀刻去除受到破坏之沟槽内之基底部分系使用磷酸来完成。8.如申请专利范围第1项所述之增加沟槽电容之制程,其中该环状绝缘层是氧化物层。9.如申请专利范围第1项所述之增加沟槽电容之制程,其中于施行第二阶段离子植入制程之后,更包括使用稀释氢氟酸溶液(dilute HFsolution)来清洗该基底。10.如申请专利范围第1项所述之增加沟槽电容之制程,其中该施行第一阶段离子植入制程,更包括将该基底沿轴心旋转0度、90度、180度及270度分别进行四次离子植入制程。11.一种增加沟槽电容之制程,适用于一具有垫层结构及沟槽之基底,包括下列步骤:于该沟槽侧壁之上部形成一环状绝缘层;施行第一阶段离子植入制程,将离子以特定之入射角度植入该沟槽侧壁,以破坏未被环状绝缘层所覆盖之沟槽侧壁之基底晶格结构;施行第二阶段离子植入制程,将离子垂直植入该沟槽底部,以破坏沟槽底部之基底晶格结构;使用稀释氢氟酸溶液来清洗该基底;以及使用磷酸蚀刻去除受到破坏之沟槽内之基底部分。12.如申请专利范围第11项所述之增加沟槽电容之制程,其中该基底系矽基底。13.如申请专利范围第11项所述之增加沟槽电容之制程,其中第一或第二阶段离子植入制程所使用之离子是磷离子、砷离子或钝气离子。14.如申请专利范围第11项所述之增加沟槽电容之制程,其中该特定入射角度系约与法线成0至45度。15.如申请专利范围第11项所述之增加沟槽电容之制程,其中第一或第二阶段离子植入制程中,离子植入能量为5至60KeV之间。16.如申请专利范围第11项所述之增加沟槽电容之制程,其中第一或第二阶段离子植入制程中,离子植入剂量为1E12至1E16 atoms/cm2之间。17.如申请专利范围第11项所述之增加沟槽电容之制程,其中该环状绝缘层是氧化物层。18.如申请专利范围第11项所述之增加沟槽电容之制程,其中该施行第一阶段离子植入制程,更包括将该基底沿轴心旋转0度、90度、180度及270度分别进行四次离子植入制程。图式简单说明:第1A至1C图系显示传统形成瓶型沟槽之方法的制程剖面图。第2A至2F图系根据本发明实施例之增加沟槽电容之制程剖面图。第3A图系显示未经过氩离子植入及磷酸蚀刻后之沟槽之扫瞄式电子显微镜照片。第3B图系显示经过氩离子植入及磷酸蚀刻后之沟槽之扫瞄式电子显微镜照片。 |
