发明名称 |
Método para reduzir o carregamento capacitivo na memória flash do decodificador x para o controle de voltagem preciso em linhas de palavras e linhas selecionadas |
摘要 |
"MéTODO PARA REDUZIR O CARREGAMENTO CAPACITIVO NA MEMóRIA FLASH DO DECODIFICADOR X PARA O CONTROLE DE VOLTAGEM PRECISO EM LINHAS DE PALAVRAS E LINHAS SELECIONADAS". é fornecido um aparelho e um método para reduzir o carregamento capacitivo de um decodificador X de memória flash de modo a controlar com precisão as voltagens em linhas de palavras selecionadas e blocos de linhas selecionadas. Uma estrutura de decodificação (18) aplica separadamente uma primeira voltagem aumentada à região de poço N da linha de palavra e uma segunda voltagem aumentada para a linha de palavra selecionada de modo a reduzir o carregamento capacitivo na linha de palavra selecionada devido ao carregamento capacitivo pesado associado à região do poço N da linha de palavra. A estrutura de decodificação ainda aplica uma terceira voltagem aumentada à região do poço N da porta selecionado e uma quarta voltagem aumentada à linha selecionada de bloco de modo a reduzir o carregamento capacitivo na linha selecionada de bloco devido ao carregamento capacitivo pesado associado à região do poço N de porta selecionado. Como conseq³ência, uma voltagem precisa pode ser criada com rapidez na linha de palavra selecionada pois sua via de carregamento capacitivo é muito pequena. |
申请公布号 |
BR0111684(A) |
申请公布日期 |
2003.07.01 |
申请号 |
BR20010111684 |
申请日期 |
2001.06.04 |
申请人 |
ADVANCED MICRO DEVICES, INC.;FUJITSU LIMITED |
发明人 |
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分类号 |
G11C16/06;G11C16/02;G11C16/04;G11C16/08;(IPC1-7):G11C16/08 |
主分类号 |
G11C16/06 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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