Trägermaterial auf Nickelbasis und Verfahren zu dessen Herstellung

摘要

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Trägermaterial auf Nickelbasis und ein Verfahren zu dessen Herstellung zu schaffen, das aus einem Halbzeug aus einem Nickelbasis-Werkstoff mit einer darauf vorhandenen Nickeloxidschicht besteht, die als hochwirksame Diffusionsbarriere dient und die ein hochgradig mikrostrukturell ausgerichtetes Gefüge in nachfolgend epitaktisch abgeschiedenen Schichten bewirkt. DOLLAR A Diese Aufgabe ist nach der Erfindung mit einem Trägermaterial gelöst, bei dem die Nickeloxidschicht in der Schichtausdehnung zu 90 bis 100% ein Gefüge aufweist, das exakt nach (100) orientiert ist und das aus einem Einkristall oder aus großen Körnern mit einer Korngröße von mindestens 20 mum besteht. DOLLAR A Zur Herstellung wird ein texturiertes Ni-Basis-Halbzeug mit einer lateralen Orientierung von < 10 DEG , einer Korngröße im Bereich von 5 mum bis 50 mum und einer Oberflächenrauhigkeit von < 20 nm oxidiert, wobei bei der Oxidation ein Oxidationsstart unterhalb von 1000 DEG C durch eine rasche Aufheizung vermieden wird. DOLLAR A Das Trägermaterial ist insbesondere für die Herstellung von bandförmigen Hochtemperatur-Supraleitern geeignet.