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发明名称 Verfahren zur Herstellung eines Halbleitersubstrates
摘要
申请公布号 DE69528611(T2) 申请公布日期 2003.06.26
申请号 DE1995628611T 申请日期 1995.04.04
申请人 CANON K.K., TOKIO/TOKYO 发明人 INOUE, SHUNSUKE;MIYAWAKI, MAMORU;FUKUMOTO, YOSHIHIKO
分类号 H01L21/18;H01L21/02;H01L21/762;H01L27/12;(IPC1-7):H01L21/20;H01L21/76 主分类号 H01L21/18
代理机构 代理人
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