| 发明名称 |
Mehrfachabscheidung von Metallschichten zur Herstellung der oberen Kondensatorelektrode eines Grabenkondensators |
| 摘要 |
Die obere Kondensatorelektrode des Grabenkondensators einer DRAM-Speicherzelle wird mindestens teilweise dadurch geformt, daß eine Mehrzahl von metallhaltigen Schichten (14, 15) aufeinander abgeschieden und jeweils nach ihrer Abscheidung getempert werden. Auf diese Weise kann der interne Stress der Elektrodenschicht vermindert und somit die Bruchfestigkeit und die Leckstromsicherheit des Grabenkondensators erhöht werden.
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| 申请公布号 |
DE10164741(A1) |
申请公布日期 |
2003.06.26 |
| 申请号 |
DE20011064741 |
申请日期 |
2001.06.12 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
SELL, BERNHARD;SAENGER, ANNETTE;GUTSCHE, MARTIN;SEIDL, HARALD |
| 分类号 |
C23C14/58;C23C16/56;H01L21/20;H01L21/302;H01L21/3205;H01L21/334;H01L21/44;H01L21/461;H01L21/8242;H01L29/94;(IPC1-7):C23C16/56;H01L21/320 |
主分类号 |
C23C14/58 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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