X光掩模板制造技术

摘要

一种X光掩模板制造技术，在双面氧化过的硅片上用氢氧化钾溶液从反面刻蚀硅，留下硅膜；在正面光刻图形，刻蚀去其中的二氧化硅；用二氧化硅作为掩膜，进行硅的深层刻蚀，留一定厚度的硅膜作为支撑层，即可获得用硅作为X光阻挡层和支撑层的新型X光掩模板。本发明具有工艺简单，价格低廉，制造周期短，寿命长等优点，无不同材料间的粘结和热膨胀系数的匹配问题，其厚度、侧壁垂直度均达到进行X光深层光刻的技术指标要求。

主权项

1、一种X光掩模板制造方法，其特征在于包括如下步骤：(1)、在双面氧化过、厚约500μm的硅片上用光刻工艺开一窗口，用反应离子刻蚀机刻去窗口中的二氧化硅，刻蚀气体为CHF3和SF6，其比例为100∶2～10，用20％～40％的氢氧化钾溶液，在60～90℃的温度下，从反面刻蚀掉窗口中300～330μm厚的硅，留170～200μm厚的硅膜；(2)、在硅片正面光刻图形，用反应离子刻蚀机刻去图形中的二氧化硅，刻蚀气体为CHF3和SF6，其比例为100∶2～10；(3)、用二氧化硅作为掩膜，用感应耦合等离子体刻蚀机进行150～210μm硅的深层刻蚀，刻蚀速率为1.5～2.5μm/min，侧壁垂直度为90°±0.3°，使用的刻蚀气体为SF6，侧壁保护气体为C4F8，留20～30μm的硅膜作为支撑层，即获得用硅作为X光阻挡层和支撑层的X光掩模板。