平坦型非挥发性半导体存储元件

摘要

一种平坦型非挥发性半导体存储元件，包括多个平行排列的字元线(word line)，存储元件具有多个单元，各个单元包括主位元线、接地线、多个子位元线、四个存储细胞行、及多个选择开关。主位元线是与此些字元线交叉。接地线是与此些字元线交叉。第一子位元线、第二子位元线、第三子位元线、第四子位元线及第五子位元线实质上与主位元线平行。四个存储细胞行(memory cell column)各包括多个存储细胞(memory cell)，分别平行连接于相邻的第一、第二、第三、第四及第五子位元线之间。多个选择开关用以从四个存储细胞行中择一。

主权项

1.一种平坦型非挥发性半导体存储元件，包括多个平行排列的字元线，该存储元件具有多个单元，各所述单元包括：一主位元线，该主位元线是与所述字元线交叉；一接地线，该接地线是与所述字元线交叉；一第一子位元线、一第二子位元线、一第三子位元线、一第四子位元线及一第五子位元线，各该第一、第二、第三、第四及第五子位元线实质上与该主位元线平行；四个存储细胞行，各包括多个存储细胞，分别平行连接于相邻的该第一、第二、第三、第四及第五子位元线之间；多个选择开关，用以从该四个存储细胞行中择一；其中，所述选择开关中的第一个是位于该主位元线与该第四子位元线之间，所述选择开关中的第二个是位于该主位元线与该第二子位元线之间，所述选择开关中的第三个是位于该接地线与该第五子位元线之间，所述选择开关中的第四个是位于该接地线与该第三子位元线之间，所述选择开关中的第五个是位于该接地线与该第三子位元线之间，所述选择开关中的第六个是位于该主位元线与该第一子位元线之间；其中，所述选择开关中的第二、第三、及第四个是由一第一选择信号所控制，所述选择开关中的第一、第五、及第六个是由一第二选择信号所控制；其中，该单元的该第一子位元线是为前一个单元的第五子位元线。