半导体器件的制造方法

摘要

在将晶片表面达到的最高温度控制在低于抗蚀剂图形抗热温度的情况下，对带有用来确定焊料膜图形淀积位置的窗口的抗蚀剂图形进行脱水处理。脱水处理用溅射腐蚀、高真空退火或惰性气体气氛中干燥的方法进行。随后在晶片的整个表面上淀积焊料膜，淀积在窗口内部以外的部位处的焊料膜与抗蚀剂图形一起被清除，而留下的焊料膜图形被热熔化处理最后加工成焊料球。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，它包含下列步骤：在覆盖器件芯片的绝缘保护膜上制作第一窗口以便暴露电极焊盘的第一步骤；在绝缘保护膜上制作带有第二窗口的抗蚀剂图形，用来暴露制作第一窗口的区域及其附近区域的第二步骤；借助于采用抗蚀剂图形的剥离方法，在对应于第二窗口的区域中选择性地淀积焊料膜图形的第四步骤；以及用热处理方法使焊料膜图形变形并收缩，从而形成焊料球的第五步骤，其特征在于，该方法在所述第二步骤和第四步骤之间还包含：在将衬底表面达到的最高温度控制在低于抗蚀剂图形抗热温度的情况下，至少对抗蚀剂图形进行脱水处理的第三步骤，其中要达到的最高温度被控制在50-100℃的范围之内，并且在电极焊点上制作限球金属。