| 发明名称 | 将盖层设置于内金属介电层上的内连线结构及其制作方法 | ||
| 摘要 | 一种将盖层设置于内金属介电层上的内连线结构及其制造方法，它至少包括第一金属导线层是定义形成于半导体基底上；内金属介电层是形成于第一金属导线层上；接触插塞是贯穿内金属介电层与第一金属导线层的顶部形成电连接；第二金属导线层是定义形成于内金属介电层的表面上，且与接触插塞的顶部形成电连接；盖层是设置于内金属介电层顶部与第二金属导线层底部之间。具有降低出气效应、提高内连线结构的可靠度及优良率的功效。 | ||
| 申请公布号 | CN1426107A | 申请公布日期 | 2003.06.25 |
| 申请号 | CN01140360.8 | 申请日期 | 2001.12.11 |
| 申请人 | 矽统科技股份有限公司 | 发明人 | 徐震球;李世达;蔡政翰 |
| 分类号 | H01L23/535;H01L21/768 | 主分类号 | H01L23/535 |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘朝华 |
| 主权项 | 1、一种将盖层设置于内金属介电层上的内连线结构，其特征是：它至少包括第一金属导线层是定义形成于半导体基底上；内金属介电层是形成于该第一金属导线层上；接触插塞是贯穿该内金属介电层与该第一金属导线层的顶部形成电连接；第二金属导线层是定义形成于该内金属介电层的表面上，且与该接触插塞的顶部形成电连接；盖层是设置于该内金属介电层顶部与该第二金属导线层底部之间。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学园区 | ||