发明名称 |
化学气相法淀积氮化钛和铜金属层大马士革工艺 |
摘要 |
本发明是一种化学气相淀积氮化钛和铜金属层的大马士革工艺,即在一台多腔体真空设备中,依次连续淀积TiN扩散阻挡层、Cu金属薄膜,并在H<SUB>2</SUB>-N<SUB>2</SUB>气氛中进行快速热退火(RTP),从而得到晶粒大小和电阻分布都很均匀的TiSiN阻挡层和Cu金属薄膜。本发明具有的优越填孔性、保形性、以及与绝缘介质良好粘附性,工艺稳定低,流程简单,结合Cu的化学机械抛光方法,可制造出适合深亚微米超大规模集成电路Cu金属大马士革互联布线结构。 |
申请公布号 |
CN1426092A |
申请公布日期 |
2003.06.25 |
申请号 |
CN03114708.9 |
申请日期 |
2003.01.02 |
申请人 |
上海华虹(集团)有限公司 |
发明人 |
徐小诚;缪炳有 |
分类号 |
H01L21/283;H01L21/285;H01L21/31;H01L21/443;H01L21/469 |
主分类号 |
H01L21/283 |
代理机构 |
上海正旦专利代理有限公司 |
代理人 |
陆飞;陶金龙 |
主权项 |
1、一种化学气相法淀积氮化钛和铜金属层大马士革工艺,其特征在于利用化学气相淀积方法,依次连续淀积TiN扩散阻挡层和Cu金属层;然后在H2-N2气氛中进行热退火处理。 |
地址 |
200020上海市淮海中路918号18楼 |