| 发明名称 | 具有低介电膜的半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在第一绝缘膜上淀积第二绝缘膜，在第二绝缘膜中形成图形以在其中形成一个开口，以及利用第二绝缘膜作为一个蚀刻掩模来蚀刻第一绝缘膜，其中，将一低介电膜用作第二绝缘膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1426600A | 申请公布日期 | 2003.06.25 |
| 申请号 | CN01808741.8 | 申请日期 | 2001.04.26 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 前川薰;杉浦正仁 |
| 分类号 | H01L21/768 | 主分类号 | H01L21/768 |
| 代理机构 | 北京东方亿思专利代理有限责任公司 | 代理人 | 陆锦华 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在第一绝缘膜上淀积第二绝缘膜；在第二绝缘膜中形成图形，以在其中形成一个开口；和将所述第二绝缘膜用作一个蚀刻掩模来蚀刻所述第一绝缘膜，其中，将一低介电膜用作所述第二绝缘膜。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||