半导体激光器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种减少在小面中的光吸收并且产生稳定的高功率激光光束的半导体激光器件及其制造方法。该半导体激光器件具有叠层结构，其中一下盖层，一有源层，一上盖层，一电流阻断层，和一盖层顺序形成，该半导体激光器件包括：一形成在该叠层结构的一小面上的锌扩散源层；和一设置在该锌扩散源层和该叠层结构之间用于防止光的吸收的窗口层。

主权项

1.一种半导体激光器件，具有叠层结构，其中一下盖层，一有源层，一上盖层，一电流阻断层，和一盖层顺序形成，该半导体激光器件包括：一位于该叠层结构的小面上的锌扩散源层；和一设置在该锌扩散源层与该叠层结构之间用于防止光的吸收的窗口层。