| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种半导体器件，包含：在主面上设置了引线的芯片搭载构件，在所述引线上设置有覆盖预定位置表面的薄膜形状的电镀部；在主面上设置了突点，并且该突点通过所述电镀部电连接所述引线，搭载在所述芯片搭载构件上的半导体芯片；设置在所述半导体芯片和所述芯片搭载构件之间的密封构件。 | ||
| 申请公布号 | CN1426104A | 申请公布日期 | 2003.06.25 |
| 申请号 | CN02155983.X | 申请日期 | 2002.12.12 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 中尾光博 |
| 分类号 | H01L23/12;H01L23/48;H01L21/00 | 主分类号 | H01L23/12 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包含：在主面上设置了引线的芯片搭载构件，在所述引线上设置有覆盖预定位置表面的薄膜形状的电镀部；在主面上设置有突点，并且该突点通过所述电镀部电连接所述引线，搭载在所述芯片搭载构件上的半导体芯片；设置在所述半导体芯片和所述芯片搭载构件之间的密封构件。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||