| 发明名称 | 半导体激光装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 基架21，激光装置安置架22，和引导架23通过冲压和弯曲一金属板形成。基准面由平面基架21的基准面部分21a，21b构成，用于散热和加固的金属板24，24被进一步贴在基准面上来提高强度和散热，尽管本装置是框架型激光装置。此外，激光器件26被装在激光器件安置架22上，且用压浇铸脂29浇铸除光发射面的周围部分。这消除了保护激光设备26和引线27的帽之需要，并且能够集中生产。特别是，通过将一金属板冲压成框架和用树脂浇铸框架而不使用保护帽，使集中大规模生产成为可能。 | ||
| 申请公布号 | CN1426141A | 申请公布日期 | 2003.06.25 |
| 申请号 | CN02160612.9 | 申请日期 | 2002.12.10 |
| 申请人 | 夏普公司 | 发明人 | 西山伸宏 |
| 分类号 | H01S5/00;H01S5/022 | 主分类号 | H01S5/00 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 马高平;杨梧 |
| 主权项 | 1.一种半导体激光装置，包括：一个基架(21)；一个大面积设置在基架(21)一侧上的激光器件安置架(22)；和一个大面积设置在基架(21)另一侧上的引导架(23)，所有部件由一金属板构成，其特征在于激光装置安置架(22)和引导架(23)被弯曲，从而相对于基架(21)平面彼此相对，基架(21)作为基准面和散热基底，半导体激光器件(26)被安装在激光器件安置架(22)上，且引导架(23)成为引导端。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||