| 发明名称 | 非易失性半导体存储器及方法 | ||
| 摘要 | 一种具有存储单元的非易失性半导体存储器，包括：在半导体衬底的表面上形成一对槽；通过第一绝缘膜的插入在一对槽内分别形成第一电极；通过第二绝缘膜的插入在槽之间的半导体衬底上形成第二电极；通过第三绝缘膜的插入在第二电极上形成第三电极。 | ||
| 申请公布号 | CN1426114A | 申请公布日期 | 2003.06.25 |
| 申请号 | CN02154388.7 | 申请日期 | 2002.12.04 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 山内祥光 |
| 分类号 | H01L27/105;H01L21/8239 | 主分类号 | H01L27/105 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 戎志敏 |
| 主权项 | 1.一种具有存储单元的非易失性的半导体存储器，包括：在半导体衬底的表面上形成一对槽；通过第一绝缘膜的插入在一对槽内分别形成第一电极；通过第二绝缘膜的插入在槽之间的半导体衬底上形成第二电极；通过第三绝缘膜的插入在第二电极上形成第三电极。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||