| 发明名称 |
High power-low noise microwave gan heterojunction field effet transistor |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
AU2002359628(A8) |
申请公布日期 |
2003.06.23 |
| 申请号 |
AU20020359628 |
申请日期 |
2002.12.06 |
| 申请人 |
HRL LABORATORIES, LLC |
发明人 |
MIROSLAV MICOVIC;PAUL HASHIMOTO;MIKE ANTCLIFFE;TAHIR HUSSAIN |
| 分类号 |
H01L21/285;H01L21/335;H01L29/20;H01L29/778;(IPC1-7):H01L29/778 |
主分类号 |
H01L21/285 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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