| 主权项 |
1.一种在微影术中用以减少光阻层中反射率之方法,包含:沈积一第一抗反射涂布(ARC)层于一基板上,其中该第一ARC层具有一第一组之参数,该第一组之参数含有一消光系数及厚度,选择以吸收该第一ARC层之光线;沈积一第二ARC层于该第一ARC层上,其中该第二ARC层具有一第二组之参数,该第二组之参数含有一折射系数及厚度,选择以相消反射自该第二ARC层上方及下方表面的光线;以及沈积一光阻层于该第二ARC层之上。2.如申请专利范围第1项之方法,其中第一ARC层能够实质上吸收自曝光源进入其内之全部光线以制作光阻图样。3.如申请专利范围第2项之方法,其中第一ARC层包含一k値及厚度,能够实质上吸收自曝光源进入其内之全部光线以制作光阻图样。4.如申请专利范围第3项之方法,其中第一ARC层包含一k値为至少0.2。5.如申请专利范围第4项之方法,其中第一ARC层包含一k値为至少0.5。6.如申请专利范围第3项之方法,其中用于制作光阻图样之曝光源之光线引起第二ARC层上下表面处之介面产生反射比,第二ARC层减少反射比强度差异至一适当标准,使得经由相消干扰可获致光阻中之一可接受反射率。7.如申请专利范围第3项之方法,其中用于制作光阻图样之曝光源之光线引起第二ARC层之上下表面处之介面产生反射比,第二ARC层将该反射比强度差异降至最小値,使得经由相消干扰可将光阻中之反射率降至最小値。8.如申请专利范围第3项之方法,其中用于制作光阻图样之曝光源之光线引起第二ARC层之上下表面处之介面产生反射比,第二ARC层使反射强度彼此大约相等,因此经由相消干扰可获致光阻中大约为零之反射率。9.如申请专利范围第8项之方法,其中第一ARC层包含一无机ARC。10.如申请专利范围第8项之方法,其中第一ARC层包含一介电质ARC。11.如申请专利范围第8项之方法,其中第一ARC层包含一抗反射材料,于后续之制程能维持稳定。12.如申请专利范围第8项之方法,其中第一ARC层包含一有机ARC。13.如申请专利范围第9.10及12项中任一项之方法,其中第二ARC层包含一折射系数以减少反射比强度差异至适当标准。14.如申请专利范围第9.10及12项中任一项之方法,其中第二ARC层包含一折射系数,能使反射比强度差异最小化。15.如申请专利范围第9.10及12项中任一项之方法,其中第二ARC层包含一折射系数,使反射比强度彼此大约相等。16.如申请专利范围第13项之方法,其中第二ARC层包含一无机ARC。17.如申请专利范围第16项之方法,其中第二ARC层之折射系数相依于第二ARC层之下一层之折射系数及第二ARC层之上一层之折射系数。18.如申请专利范围第17项之方法,其中第二ARC层之折射系数约等于nx=(nx-lnR)1/2,nx为第二ARC层之折射系数之实部,nx-l为第二ARC层之下层之折射系数之实部,nR为位于第二ARC层之上层之折射系数之实部。19.如申请专利范围第18项之方法,其中第二ARC层之相消干扰导致反射比彼此互为异相而造成破坏性抵消。20.如申请专利范围第19项之方法,其中第二ARC层之相消干扰导致反射比彼此互为180之相位差而造成破坏性抵消。21.如申请专利范围第20项之方法,其中第二ARC层之厚度选择为能产生反射比之破坏性抵消。22.如申请专利范围第21项之方法,其中第二ARC层包含一厚度约/4nx,为曝光源之波长而nx为第二ARC层之折射系数。23.如申请专利范围第14项之方法,其中第二ARC层包含一无机ARC。24.如申请专利范围第23项之方法,其中第二ARC层之折射系数相依于第二ARC层之下一层之折射系数及第二ARC层之上一层之折射系数。25.如申请专利范围第24项之方法,其中第二ARC层之折射系数等于大约nx=(nx-lnR)1/2,nx为第二ARC层之折射系数之实部,nx-l为第二ARC层下一层之折射系数之实部,nR为第二ARC层上一层之折射系数之实部。26.如申请专利范围第25项之方法,其中第二ARC层之相消干扰导致反射比彼此互为异相,因而产生破坏性抵消。27.如申请专利范围第26项之方法,其中第二ARC层之相消干扰导致反射比彼此呈180之相位差,因而产生破坏性抵消。28.如申请专利范围第27项之方法,其中第二ARC层之厚度选择为能产生反射比之破坏性抵消。29.如申请专利范围第28项之方法,其中第二ARC层包含一厚度约为/4nx,为曝光源之波长,nx为第二ARC层折射系数。30.如申请专利范围第15项之方法,其中第二ARC层包含一无机ARC。31.如申请专利范围第30项之方法,其中第二ARC层之折射系数相依于第二ARC层下一层之折射系数及第二ARC层上一层之折射系数。32.如申请专利范围第31项之方法,其中第二ARC层之折射系数约等于nx=(nx-lnR)1/2,nx为第二ARC层之折射系数之实部,nx-l为第二ARC层下一层之折射系数之实部,nR为第二ARC层上一层之折射系数之实部。33.如申请专利范围第32项之方法,其中第二ARC层之相消干扰导致反射比彼此互为异相,因此产生破坏性抵消。34.如申请专利范围第33项之方法,其中第二ARC层之相消干扰导致反射比彼此之间为180之相位差,因此产生破坏性抵消。35.如申请专利范围第34项之方法,其中第二ARC层之厚度选择为能产生反射比之破坏性抵消。36.如申请专利范围第35项之方法,其中第二ARC层包含一厚度约为/4nx,为曝光源之波长,nx为第二ARC层之折射系数。37.如申请专利范围第9至12项中任一项之方法,其中第二ARC层包含一有机ARC。38.如申请专利范围第37项之方法,其中第二ARC层包含一厚度,导致光阻中之反射率减少至一适当之标准。39.如申请专利范围第37项之方法,其中第二ARC层包含一厚度,导致光阻中最小之反射率。40.如申请专利范围第37项之方法,其中第二ARC层包含一厚度,导致光阻中几乎为零之反射率。41.如申请专利范围第40项之方法,其中第二ARC层之厚度系藉一阶导数I/d而获得,I等于光阻中光线之强度,d为第二ARC层之厚度。42.如申请专利范围第41项之方法,其中第二ARC层之厚度系藉求解公式4Re(n)d/-1+2=m(m=1,2…∞)中之d而得,n为第二ARC层之折射系数,d为第二ARC层之厚度。43.如申请专利范围第42项之方法,其中m选择为相等于1。图式简单说明:第1图系说明本发明之一描绘性实施例;第2图系标示最小反射系数之曲线图;及第3图系标示最小反射系数之另一曲线图。 |
