发明名称 抛光用组成物
摘要 就铝碟及玻璃制硬碟而言,期望平均波度小于3埃之磁碟,为增加记忆容量密度。本发明提出一种抛光组成物,其可产生供磁碟使用之光滑经抛光表面。该抛光组成物系为供铝碟或表面上具有二氧化矽之基材使用之抛光组成物,其含有胶态二氧化矽粒子群,具有不同之粒径分布,且SiO2浓度为0.5至50重量百分比。
申请公布号 TW538111 申请公布日期 2003.06.21
申请号 TW090111054 申请日期 2001.05.09
申请人 日产化学工业股份有限公司 发明人 太田勇夫;西村透;山田元伸
分类号 C09G1/00 主分类号 C09G1/00
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种供铝碟使用而含有二氧化矽溶胶之抛光组成物,其包含胶态二氧化矽粒子群,在透射型电子显微镜上观察总粒子数之90百分比或以上具有主要粒径为80至120毫微米之单峰型数量粒径分布,且具有介于65至100毫微米之平均粒径Da(使用氮吸附法测量之粒径)(以下称为胶态二氧化矽粒子群(a)),及胶态二氧化矽粒子群,在透射型电子显微镜上观察总粒子数之90百分比或以上具有主要粒径为20至40毫微米之单峰型数量粒径分布,且具有介于15至25毫微米之平均粒径Dc(使用氮吸附法测量之粒径)(以下称为胶态二氧化矽粒子群(c)),其中该组成物之Dc/Da比例系为0.15至0.38,系为混合有SiO2之经水分散之安定二氧化矽溶胶,该胶态二氧化矽粒子群(a)相对于该胶态二氧化矽粒子群(c)之重量比W(a)/W(c)=1/0.05-9.0,且含有SiO2浓度为0.5至50重量百分比之胶态二氧化矽粒子。2.一种供铝碟使用而含有二氧化矽溶胶之抛光组成物,其包含胶态二氧化矽粒子群,在透射型电子显微镜上观察总粒子数之90百分比或以上具有主要粒径为80至120毫微米之单峰型数量粒径分布,且具有介于65至100毫微米之平均粒径Da(使用氮吸附法测量之粒径)(以下称为胶态二氧化矽粒子群(a)),胶态二氧化矽粒子群,在透射型电子显微镜上观察总粒子数之90百分比或以上具有主要粒径为20至40毫微米之单峰型数量粒径分布,且具有介于15至25毫微米之平均粒径Dc(使用氮吸附法测量之粒径)(以下称为胶态二氧化矽粒子群(c)),及胶态二氧化矽粒子群,在透射型电子显微镜上观察总粒子数之90百分比或以上具有主要粒径为5至15毫微米之单峰型数量粒径分布,且具有介于8至12毫微米间之平均粒径Dd(使用氮吸附法测量之粒径)(以下称为胶态二氧化矽粒子群(d)),其中该组成物之Dc/Da比例系为0.15至0.38,Dd/Dc比例系为0.26至0.80,系为混合有SiO2之经水分散之安定二氧化矽溶胶,该胶态二氧化矽粒子群(a)、该胶态二氧化矽粒子群(c)及该胶态二氧化矽粒子群(d)之重量比W(a)/W(c)/W(d)=1/0.05-9.0/0.01-1.4,且含有SiO2浓度为0.5至50重量百分比之胶态二氧化矽粒子。3.一种供铝碟使用而含有二氧化矽溶胶之抛光组成物,其包含胶态二氧化矽粒子群,在透射型电子显微镜上观察总粒子数之90百分比或以上具有主要粒径为40至70毫微米之单峰型数量粒径分布,且具有介于35至50毫微米之平均粒径Db(使用氮吸附法测量之粒径)(以下称为胶态二氧化矽粒子群(b)),胶态二氧化矽粒子群,在透射型电子显微镜上观察总粒子数之90百分比或以上具有主要粒径为20至40毫微米之单峰型数量粒径分布,且具有介于15至25毫微米之平均粒径Dc(使用氮吸附法测量之粒径)(以下称为胶态二氧化矽粒子群(c)),或胶态二氧化矽粒子群,在透射型电子显微镜上观察总粒子数之90百分比或以上具有主要粒径为5至15毫微米之单峰型数量粒径分布,且具有介于8至12毫微米间之平均粒径Da(使用氮吸附法测量之粒径)(以下称为胶态二氧化矽粒子群(d)),其中该组成物之Dc/Db比例系为0.30至0.71,Dd/Db比例系为0.16至0.34,系为混合有SiO2之经水分散之安定二氧化矽溶胶,该胶态二氧化矽粒子群(c)或该胶态二氧化矽粒子群(d)及该胶态二氧化矽粒子群(b)之重量比W(b)/W(c)或W(d)=1/0.05-9.0,且含有SiO2浓度为0.5至50重量百分比之胶态二氧化矽粒子。4.如申请专利范围第1.2或3项之抛光组成物,其中该抛光组成物系含有一或两种以上之铝化合物,以Al2O3表示之浓度系为0.01至5.0重量百分比,选自包括硝酸铝、硫酸铝、氯化铝、硷性碳酸铝及硷性胺基甲酸铝之群以作为抛光加速剂。5.如申请专利范围第1.2或3项之抛光组成物,其中该抛光组成物系含有一或两种以上之铁化合物,以Fe2O3表示之浓度系为0.01至5.0重量百分比,选自包括硝酸铁(III)、氯化铁(III)、硫酸铁(III)、及硫酸铁(III)钾[KFe(SO4)2]之群以作为抛光促进剂。6.如申请专利范围第1.2或3项之抛光组成物,其中该抛光组成物系含有一或或多种羧酸,浓度为0.01-5.9重量百分比,选自包括顺丁烯二酸、酒石酸、柠檬酸、苹果酸、葡糖酸及乳酸之群。7.一种供表面上具有二氧化矽之基材使用之抛光组成物,其包含胶态二氧化矽粒子群,在透射型电子显微镜上观察总粒子数之90百分比或以上具有主要粒径为80至120毫微米之单峰型数量粒径分布,且具有介于65至100毫微米之平均粒径Da(使用氮吸附法测量之粒径)(以下称为胶态二氧化矽粒子群(a)),及胶态二氧化矽粒子群,在透射型电子显微镜上观察总粒子数之90百分比或以上具有主要粒径为20至40毫微米之单峰型数量粒径分布,且具有介于15至25毫微米之平均粒径Dc(使用氮吸附法测量之粒径)(以下称为胶态二氧化矽粒子群(c)),其中该组成物之Dc/Da比例系为0.15至0.38,系为混合有SiO2之经水分散之安定二氧化矽溶胶,该胶态二氧化矽粒子群(a)相对于该胶态二氧化矽粒子群(c)之重量比W(a)/W(c)=1/0.05-9.0,且含有SiO2浓度为0.5至50重量百分比之胶态二氧化矽粒子。8.一种供表面上具有二氧化矽之基材使用之抛光组成物,其包含胶态二氧化矽粒子群,在透射型电子显微镜上观察总粒子数之90百分比或以上具有主要粒径为80至120毫微米之单峰型数量粒径分布,且具有介于65至100毫微米之平均粒径Da(使用氮吸附法测量之粒径)(以下称为胶态二氧化矽粒子群(a)),胶态二氧化矽粒子群,在透射型电子显微镜上观察总粒子数之90百分比或以上具有主要粒径为20至40毫微米之单峰型数量粒径分布,且具有介于15至25毫微米之平均粒径Dc(使用氮吸附法测量之粒径)(以下称为胶态二氧化矽粒子群(c)),及胶态二氧化矽粒子群,在透射型电子显微镜上观察总粒子数之90百分比或以上具有主要粒径为5至15毫微米之单峰型数量粒径分布,且具有介于8至12毫微米间之平均粒径Dd(使用氮吸附法测量之粒径)(以下称为胶态二氧化矽粒子群(d)),其中该组成物之Dc/Da比例系为0.15至0.38,Dd/Dc比例系为0.26至0.80,系为混合有SiO2之经水分散之安定二氧化矽溶胶,该胶态二氧化矽粒子群(a)、该胶态二氧化矽粒子群(c)及该胶态二氧化矽粒子群(d)之重量比W(a)/W(c)/W(d)=1/0.05-9.0/0.01-1.4,且含有SiO2浓度为0.5至50重量百分比之胶态二氧化矽粒子。9.一种供表面上具有二氧化矽之基材使用之抛光组成物,其包含胶态二氧化矽粒子群,在透射型电子显微镜上观察总粒子数之90百分比或以上具有主要粒径为40至70毫微米之单峰型数量粒径分怖,且具有介于35至50毫微米之平均粒径Db(使用氮吸附法测量之粒径)(以下称为胶态二氧化矽粒子群(b)),胶态二氧化矽粒子群,在透射型电子显微镜上观察总粒子数之90百分比或以上具有主要粒径为20至40毫微米之单峰型数量粒径分布,且具有介于15至25毫微米之平均粒径Dc(使用氮吸附法测量之粒径)(以下称为胶态二氧化矽粒子群(c)),及胶态二氧化矽粒子群,在透射型电子显微镜上观察总粒子数之90百分比或以上具有主要粒径为5至15毫微米之单峰型数量粒径分布,且具有介于8至12毫微米间之平均粒径Da(使用氮吸附法测量之粒径)(以下称为胶态二氧化矽粒子群(d)),其中该组成物之Dc/Db比例系为0.30至0.71,Dd/Db比例系为0.16至0.34,系为混合有SiO2之经水分散之安定二氧化矽溶胶,该胶态二氧化矽粒子群(c)或该胶态二氧化矽粒子群(d)及该胶态二氧化矽粒子群(b)之重量比W(b)/W(c)或W(d)=1/0.05-9.0,且含有SiO2浓度为0.5至50重量百分比之胶态二氧化矽粒子。
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