发光体及制备其等之方法

摘要

本发明提供一种式A2SiO5：B(A为Y或Gd，而B为Ce或Tb)之发光体，其特征为表面元素组成以(A+B)/Si表示系于1.5至2.5之范围，其中A为Y或Gd，而B为Ce或Tb；及该种发光体之制法。该方法之一具体实施例如下：二氧化矽粉末混合共同沈淀(Y,Ce)2O3(Ce/Y=0.01)，而其含量基于(Y,Ce)2O3用量系于10至100莫耳%之范围，该混合物进给入双壁铝坩埚的内坩埚。于石墨进给内坩埚与外坩埚间后，混合物于1450℃煆烧2小时而获得Y2SiO5：Ce发光体。采用Y2SiO5：Ce发光体制备的场发射显示器(FED)之发光效率系于阳极电压600伏，电功率输入30Wp-p，以及能率1/240测量。较佳二氧化矽基于Y2SiO5：Ce用量之相对用量系于40至70莫耳%，以及较佳50至60莫耳%之范围。

主权项

1.一种式A2SiO5:B之发光体,其特征为表面元素组成以(A+B)/Si表示系于1.5至2.5之范围,其中A为Y或Gd,而B为Ce或Tb。2.一种制备如申请专利范围第1项之发光体之方法,其包含混合(A,B)2O3与二氧化矽,二氧化矽基于(A,B)2O3用量之相对用量系于40至70莫耳%而制造一种混合物,以及煆烧该混合物;其中A为Y或Gd,而B为Ce或Tb。3.一种制备如申请专利范围第1项之发光体之方法,其包含添加(A,B)2O3粉末至一种式A2SiO5:B之化合物,该化合物含有化学计算量之矽,以及煆烧该混合物;其中A为Y或Gd,而B为Ce或Tb。4.如申请专利范围第3项之方法,其中该添加步骤系经由以(A,B)2O3细粉涂布一种式A2SiO5:B之化合物而进行。图式简单说明:第1图显示使用实例1之发光体之FED装置之发光效率与(Y,Ce)2O3发光体之二氧化矽相对用量间之关系;第2图说明至FED发射电流减半所需时间之相对长度与实例1之(Y,Ce)2 O3发光体之二氧化矽相对用量间之关系第3图说明使用奥格电子分光计(AES)测定之Y/Si原子比与实例1之(Y,Ce)2O3发光体之二氧化矽相对用量间之关系;第4图显示根据高频电浆方法涂布以(Y,Ce)2O3粉末之实例2之Y2SiO5:Ce发光体之电子显微相片;第5图显示于1400℃煆烧第4图之含(Y,Ce)2O3粉末之Y2SiO5:Ce发光体后所得发光体之电子显微相片;以及第6图具有实例2之发光体以及作为比较例之发光体(添加100%二氧化矽)之FED其电流密度与发光效率间之关系。