| 主权项 |
1.一种冷却积体电路元件之装置,包括:一冷板,与积体电路之选择元件热连接;一热电冷却器,与冷板热连接;及一热板,与热电冷却器热连接;其中热经由冷板而从积体电路之选择元件选择性去除,且经由热电冷却器而传送到热板;及热板曝露在积体电路表面上俾将热散溢至四周大气。2.如申请专利范围第1项之装置,其中从积体电路中之场效电晶体提供电流至热电冷却器,该汲极藉由一通孔结构而电连接至该热电冷却器。3.如申请专利范围第1项之装置,其中冷板藉由一热导体而热连接到积体电路之选择元件,热导体提供冷板与积体电路之选择元件之至少部分电绝缘。4.如申请专利范围第1项之装置,其中积体电路之选择元件系一电晶体,而冷板与电晶体之汲极及源极热连接。5.如申请专利范围第4项之装置,其中电晶体系一低杂讯放大器电晶体。6.如申请专利范围第4项之装置,其中电晶体系一氧化层上矽电晶体。7.如申请专利范围第1项之装置,其中积体电路之选择元件系一电容器。8.如申请专利范围第1项之装置,其中积体电路之选择元件系一电感器。9.如申请专利范围第1项之装置,其中积体电路之选择元件在一射频电路中使用。10.如申请专利范围第1项之装置,其中热电冷却器系一量子点冷却器。11.一种冷却积体电路元件之装置,包括:一冷板,与积体电路之选择元件热连接;一热电冷却器,与冷板热连接;及一热板,与热电冷却器热连接;其中热板热连接以散热至积体电路之主体基材;及积体电路元件之热从冷板经由热电冷却器传送,且经由热板而散溢至主体基材。12.如申请专利范围第11项之装置,其中积体电路元件系一电感器。13.如申请专利范围第12项之装置,其中电感器系一螺旋电感器。14.如申请专利范围第11项之装置,其中冷板系部份的藉由一支架而支撑且与积体电路元件之表面分离。15.如申请专利范围第14项之装置,其中支架包括光阻。16.如申请专利范围第11项之装置,其中积体电路元件在一射频电路中使用。17.如申请专利范围第16项之装置,其中射频电路包括一天线。18.如申请专利范围第16项之装置,其中射频电路包括一被动天线。19.如申请专利范围第16项之装置,其中射频电路包括一低杂讯放大器。20.如申请专利范围第16项之装置,其中射频电路包括一混合器。21.如申请专利范围第16项之装置,其中射频电路包括一正交振荡器。22.如申请专利范围第16项之装置,其中射频电路包插一功率放大器。23.如申请专利范围第11项之装置,其中热电冷却器系一量子点冷却器。24.一种冷却积体电路元件之装置,包括:一冷板,与积体电路之选择元件热连接;一热电冷却器,与冷板热连接;及一热板,与热电冷却器热连接;其中热经由冷板而从积体电路之选择元件选择性去除,且经由热电冷却器而传送到热板;及热板接到一被动元件用以散热。25.如申请专利范围第24项之装置,其中从积体电路中之场效电晶体提供电流至热电冷却器,该汲极藉由一通孔结构而电连接至该热电冷却器。26.如申请专利范围第24项之装置,其中热电冷却器系一量子点冷却器。图式简单说明:图1A-1E说明典型射频(RF)电路例子的电路图,该电路用于冷却操作;图2是晶片上螺旋导体的品质因子的典型温度依存性图形;图3是根据本发明热电冷却(TEC)装置的高阶方块图;图4是根据本发明冷却IC RF电路的直接连接冷却器的上视图;图5说明根据本发明的电流控制热电冷却(TEC)电路;图6A-6B的上部切除平面及剖视图在说明根据本发明冷却RF IC电路的定图案冷板;图7A-7B的上部切除平面及剖视图在说明根据本发明冷却器与积体电路(IC)的LNA/PA及本体/基材层的直接热连接;图8是典型热电点冷却器的剖面图,该冷却器是根据本发明而在RF CMOS IC中制造;及图9是典型RF螺旋电感器电路的剖面图,其中根据本发明热电冷却器并入被动电感器而热则散溢至主体基材。 |
