| 主权项 |
1.一种透明GeAs硫化物玻璃,其在频谱红外线部份呈现出极良好的透射性,以及其组成份以硫化物莫耳百分比表示主要包含55-95%GeS2,0.01-40% As2S3及/或Sb2S3,0.01-25%P2S5,0-10% MSx,其中M至少为一种改良阳离子,其由Li,Na,K,Ag,Tl,Ca,Sr,Ba,Cd,Hg,Sn,Pb,B,Al,Sb,Y以及镧族属稀土族金属种类选取出,0-20% Cl及/或F,0-5% Se,以及0-5% O,其中S及/或Se含量界于计算値75%与130%之间,以及包含Ga2S3或In2S3,其中P,Ga以及In硫化物总含量不超过25%莫耳比。2.依据申请专利范围第1项之GeAs硫化物玻璃,其中玻璃额外地包含0-25%莫耳比硫化物,其由Ga2S3,In2S3以及其混合物选取由,P,Ga以及In硫化物总含量不超过25%莫耳比。3.依据申请专利范围第2项之GeAs硫化物玻璃,其中Ga2S3为所选择额外之硫化物。4.依据申请专利范围第2项之GeAs硫化物玻璃,其中Ga及/或In对P比値为1:1或更大。5.依据申请专利范围第1项之GeAs硫化物玻璃,其中玻璃包含稀土族金属离子作为掺杂剂,其由包含镧与镏以及其之间种类选取出。6.依据申请专利范围第5项之GeAs硫化物玻璃,其中稀土族金属离子掺杂剂含量在0.005-1.0%重量比。7.依据申请专利范围第5项之GeAs硫化物玻璃,其中稀土族金属离子掺杂剂为Pr。8.依据申请专利范围第1项之GeAs硫化物玻璃,其中包含一种比Ge,As以及S轻之元素,除了P之外。9.依据申请专利范围第8项之GeAs硫化物玻璃,其中包含至少一种由B,Si,Al以及O选取出之元素。10.依据申请专利范围第9项之GeAs硫化物玻璃,其中P以及所选择元素并不超过1%。11.依据申请专利范围第2项之GeAs硫化物玻璃,其中P离子与稀土族金属离子比値至少为1:1。12.依据申请专利范围第11项之GeAs硫化物玻璃,其中比値至少为5:1。13.依据申请专利范围第12项之GeAs硫化物玻璃,其中比値至少为20:1。14.一种由GeAs硫化物玻璃所构成之光学元件,该玻璃在深入频谐之红外线部份呈现出极良好的透射性,以及其组成份以硫化物莫耳百分比表示主要包含55-95% GeS2,0.01-40% As2S3及/或Sb2S3,0.01-25%P2S5,0-10%MSx,其中M至少为一种改良阳离子,其由Li,Na,K,Ag,Tl,Ca,Sr,Ba,Cd,Hg,Sn,Pb,B,Al,Sb,Y以及镧族属稀土族金属种类选取出,0-20% Cl及/或F,0-5% Se,以及0-5% O,其中S及/或Se含量界于计算値75%与130%之间,以及包含Ga2S3或In2S3,其中P,Ga以及In硫化物总含量不超过25%莫耳比。15.依据申请专利范围第14项之光学组件,其中玻璃额外地包含0-25%莫耳比硫化物,其由Ga2S3,In2S3以及其混合物选取出,P,Ga以及In硫化物总含量不超过25%莫耳比。16.依据申请专利范围第15项之光学组件,其中Ga及/或In对P比値为1:1或更大。17.依据申请专利范围第14项之光学组件,其中GeAs硫化物玻璃含有掺杂剂稀土族金属,其由包含镧与镏以及其间之种类选取出。18.依据申请专利范围第15项之光学组件,其中共同掺杂剂磷离子与稀土族金属离子比値至少为5:1。19.依据申请专利范围第14项之光学组件,其中组件为放大器,其发出1.3微米波长之萤光,以及玻璃为掺杂Pr之玻璃,该玻璃包含一种比Ge,As以及S轻之元素,除了P之外,因而玻璃光子能量被提高以及由中间3H5阶至基态之光学跃迁因而增加。20.依据申请专利范围第19项之光学组件,其中较轻元素为一种及多种由B,Si,Al以及O选取出之元素。21.一种分散稀土族金属离子掺杂剂于GeAs硫化物为主成份玻璃中之方法,该掺杂剂包含磷来源于玻璃中作为共同掺杂剂,其中在GeAs硫化物玻璃中包含磷来源额外地包含0-25%莫耳比硫化物,其由Ga2S3,In2S3以及其混合物选取出,P,Ga以及In硫化物总含量不超过25%莫耳比。22.依据申请专利范围第21项之方法,其中Ga及/或In与磷比値为1:1或更大。23.依据申请专利范围第21项之方法,其中包含磷来源之数量将使得P对稀土族金属离子之比値至少为5:1。24.依据申请专利范围第21项之方法,其中在玻璃中包含P离子来源将使得玻璃EPR共振之线条宽度至少为500高斯,或萤光强度大于250。图式简单说明:图1及2为曲线图,其显示出本发明稀土族金属掺杂剂离子簇集减小。图3为曲线图,其显示出包含Pr3+离子处理过程。 |
