| 主权项 |
1.一种半导体装置,其特征为,系具备有:半导体基板1;浮动式闸极电极4,系透过氧化膜2而形成在前述半导体基板1上侧;以及,活性区域,系在由上方观察时,于邻接前述浮动式闸极电极4两侧之位置上,露出前述半导体基板1之表面;此外,前述半导体基板1系包含由前述活性区域而朝向内部注入不纯物之不纯物注入区域6.7;前述不纯物注入区域6.7系涵盖整个区域而包含氮;前述浮动式闸极电极4,系包含侧壁以及透过前述侧壁形成为覆盖前述侧壁以便于不挥发电子之氧化膜。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,前述不纯物系砷。3.一种半导体装置之制造方法,其特征为,系包含以下之制程:具有侧壁之浮动式闸极电极4系透过氧化膜而形成在半导体基板1之上侧,由上方观察时,配置成为在邻接前述浮动式闸极电极4两侧之位置具有露出前述半导体基板1表面之活性区域,对于注入不纯物至前述活性区域者,在包含氮和氧之第1混合气体之环境下,进行热处理之加热灯退火作业;以及,在前述加热灯退火作业之后,于包含氧之第2混合气体之环境下,进行热处理,以便于在前述侧壁,形成氧化膜之氧化膜形成作业。4.如申请专利范围第3项之半导体装置之制造方法,其中,作为前述第1混合气体,系使用包含氧体积比10%以上、70%以下者。5.如申请专利范围第3项之半导体装置之制造方法,其中,前述不纯物系砷。图式简单说明:图1系根据本发明之实施形态1中之半导体装置之制造方法之第1作业之说明图。图2系根据本发明之实施形态1中之氮和砷之由基板表面开始之深度和浓度间之关系之图形。图3系根据本发明之实施形态1中之半导体装置之制造方法之第2作业之说明图。图4系根据本发明之实施形态1中之半导体装置之制造方法之第3作业之说明图。图5系根据本发明之实施形态1中之半导体装置之制造方法之第4作业之说明图。图6系根据习知技术之半导体装置之制造方法之不纯物注入后之状态之说明图。图7系根据习知技术之半导体装置之制造方法之TEOS膜形成后之状态之说明图。图8系根据习知技术之半导体装置之制造方法之热处理后之状态之说明图。图9系在根据习知技术之半导体装置之制造方法中而适用氮流动之加热灯退火之状态下之第1说明图。图10系在根据习知技术之半导体装置之制造方法中而适用氮流动之加热灯退火之状态下之第2说明图。 |
