| 主权项 |
1.一种堆叠式静电保护电路,包含有一个输出/输入(I/O)电路,其包含一焊垫,并以一个P型金氧半场效电晶体的闸极连接至第一讯号线,以一个N型金氧半场效电晶体的闸极连接至第二讯号线;其特征在于,所述输出/输入(I/O)电路更连接至一个锁定电路,所述锁定电路包含一金氧半场效电晶体、一电阻以及一个整流元件,其中所述电阻连接所述金氧半场效电晶体的闸极和源极,所述金氧半场效电晶体的汲极连接至所述第二讯号线,其闸极连接至所述整流元件,其源极并接地,而所述整流元件的另一极则连接至所述焊垫。2.如申请专利范围第1项所述之堆叠式静电保护电路,其中所述整流元件系一个二极体。3.如申请专利范围第1项所述之堆叠式静电保护电路,其中所述整流元件系一个电容器。4.如申请专利范围第1项所述之堆叠式静电保护电路,其中所述金氧半场效电晶体系一个N型金氧半场效电晶体。5.如申请专利范围第1项所述之堆叠式静电保护电路,其中所述金氧半场效电晶体系一个P型金氧半场效电晶体。6.一种堆叠式静电保护电路,其连接至三个电压源,分别为第一电压源、第二电压源、第三电压源,其包含:一个输出,输入(I/O)电路,其包含一焊垫(bonding pad)、二个P型金氧半场效电晶体、以及四个N型金氧半场效电晶体,其中所述P型金氧半场效电晶体包含第一P型金氧半场效电晶体和第二P型金氧半场效电晶体;其中所述第一P型金氧半场效电晶体的汲极连接至第一电压源,其闸极连接至所述第一讯号线,其源极则连接至所述焊垫;所述第二P型金氧半场效电晶体的汲极和闸极连接至所述第一电压源,其源极则连接至所述焊垫;所述N型金氧半场效电晶体包含第一N型金氧半场效电晶体、第二N型金氧半场效电晶体、第三N型金氧半场效电晶体、以及第四N型金氧半场效电晶体,其中所述第一N型金氧半场效电晶体的汲极连接至所述焊垫,其闸极连接至所述第二电压源,其源极连接至所述第三N型金氧半场效电晶体的汲极;所述第三N型金氧半场效电晶体的闸极连接至所述第二讯号线,其源极接地;所述第二N型金氧半场效电晶体的汲极连接至所述焊垫,其闸极连接至所述第三电压源,其源极连接至所述第四N型金氧半场效电晶体的汲极;所述第四N型金氧半场效电晶体的闸极和源极接地;一个锁定电路,所述锁定电路包含一金氧半场效电晶体、一电阻以及一个整流元件,其中所述电阻连接所述金氧半场效电晶体的闸极和源极;所述金氧半场效电晶体的汲极连接至所述第二讯号线,其闸极连接至所述整流元件,其源极并接地;以及所述整流元件的另一极则连接至所述焊垫。7.如申请专利范围第6项所述之堆叠式静电保护电路,其中所述整流元件系一个二极体。8.如申请专利范围第6项所述之堆叠式静电保护电路,其中所述整流元件系一个电容器。9.如申请专利范围第6项所述之堆叠式静电保护电路,其中所述金氧半场效电晶体系一个N型金氧半场效电晶体。10.如申请专利范围第6项所述之堆叠式静电保护电路其中所述金氧半场效电晶体系一个P型金氧半场效电晶体。图式简单说明:图一为传统技术之输出/输入(I/O)的电路图,图二为本发明之连接有锁定电路之输出/输入(I/O)的电路图。 |
