| 主权项 |
1.一种辐射源,其具有许多相邻而配置之可发出辐射之半导体晶片(7),其特征为:在辐射方向中在半导体晶片(7)之前配置一种形成六角形栅格之透镜(8)所形成之阵列。2.如申请专利范围第1项之辐射源,其中各透镜(8)由半球所形成。3.如申请专利范围第1或2项之辐射源,其中各透镜(8)配置成六角形最紧密形式之栅格。4.如申请专利范围第1或2项之辐射源,其中半导体晶片(7)连结成列。5.如申请专利范围第1或2项之辐射源,其中设有半导体晶片(7)之彩色群,不同之彩色群在不同之波长中具有其发射最大値,每一个半导体晶片之发射最大値在波长相同时位于一个彩色群中。6.如申请专利范围第5项之辐射源,其中每一彩色群配置成列。7.一种透镜模型(24)之制造方法,其适用于微透镜(8)之阵列之制造,其特征为以下各步骤:(a)制成一种中央心轴(12)之横切面是六角形之第一模型板(11),中央心轴(12)位于第一模型板(11)中之基座(13)上,基座(13)具有垂直之通销(14),各通销由基座(13)延伸而出直到至少该心轴(12)之高度为止,(b)使第一模型板(11)上之固持框(15)安装在边缘上,以便在心轴(12)及固持框(15)之间形成一种内部空间。(c)内部空间中以透镜模型材料填入,以形成一种透镜模型框(17),(d)使透镜模型框(17)及固持框(15)以及通销(14)由第一模型板分开,其中形成一种与心轴(12)之形式相对应之六角形开口(18),(e)使透镜模型框(17)及固持框(15)以及通销(14)安装在第二模型板(19)上,第二模型板(19)包含:-一种对应于透镜模型框(17)底部之基座,-存在于基座中之孔,通销(14)经由这些孔,-一种位于基座中之边框(20),其与透镜模型框(17)之开口(18)齐平,(f)浓密地施加多个小球(22)至边框(20)中,各小球之半径等于即将制成之微透镜(8)之半径,(g)开口(18)中以透镜模型材料填入,因此可形成透镜模型(24),即,透镜模型(24)形成在一组由六角形边框(21)所支持之紧密相邻之球(22)上,(h)使透镜模型(24)及固持框(15)由第二模型板(19)分开且移除各通销(14),各通销(14)在透镜模型(24)中留下孔道(29)。8.如申请专利范围第7项之方法,其中透镜模型(24)由矽树脂所浇注而成。9.如申请专利范围第7或8项之方法,其中该心轴(12),开口(18)及边框(20)具有六角形之横切面。10.如申请专利范围第9项之方法,其中固持框(15)在其内侧上具有凹口(16)。11.一种辐射源用之微透镜(8)之制造方法,其特征为以下各步骤:-备妥一种浇注元件(23),其具有一吸入支件(25),该吸入支件(25)上安装一基板(26),该基板(26)及该吸入支件(25)具有一配置于中央之吸入口(27),-在基板(26)上设定一种电路板(1),其设有已黏合之发出辐射之半导体晶片,以覆盖该吸入口(27),-在基板(26)上及电路板(1)上方施加一种依据申请专利范围第7或8项所制成之透镜模型(24)及固持框(15),-以压板(28)来覆盖透镜模型(24)之一部份及该固持框(15),该压板(28)经由螺栓连接区而与基板(26)相连接,-使螺栓连接区固定地栓住,以确保该透镜模型(24)可稳固地坐在基板(26)上,-使透镜材料经由孔道(29)而施加至透镜模型(24)及电路板(1)之间之中空区中,-在透镜材料硬化之后使微透镜(8)由透镜模型(24)分开。图式简单说明:第1图 设有半导体晶片之特殊之电路板之俯视图,其用于本发明之辐射中。第2图 第1图之电路板之已放大之横切面。第3图 透镜阵列之俯视图。第4图 制成微透镜阵列所用之浇注模型之横切面。第5图 第4图之浇注模型之俯视图。第6图 另一制成此浇注模型所用元件之横切面。第7图 制成微透镜阵列所用浇注元件之横切面。第8图 辐射功率相对于半导体晶片之上边缘及所属半球体形式之微透镜之间之距离之关系图。 |
