发明名称 用以退出低功率状态时复原记忆体装置通道之方法及装置
摘要 本发明揭示一种当退出一低功率状态时可供复原一记忆体装置通道之方法及装置。一方法包括将来自一记忆体控制器储存位置的一组记忆体初始化值储存到一记忆体,该记忆体在一关机状态期间可维持该等初始化值。该等初始化值需要存取一系统记忆体。当退出该关机状态时,该等初始化值可复原到该记忆体控制器的储存位置。
申请公布号 TW538342 申请公布日期 2003.06.21
申请号 TW088119147 申请日期 1999.11.20
申请人 英特尔公司 发明人 威廉A 史提芬;普西雅K 尼则
分类号 G06F13/28 主分类号 G06F13/28
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种方法,其包含:将来自一记忆体控制器中复数个储存位置的复数个记忆体初始化値储存至一记忆体中,该记忆体可在一关机状态期间维持该等値,该等复数个记忆体初始化値对于存取一系统记忆体系为必需的;进入该关机状态;及当退出该关机状态时,复原位于该记忆体控制器中复数个储存位置的复数个记忆体初始化値。2.如申请专利范围第1项之方法,其中进入该关机状态包含进入一暂时停止随机存取记忆体状态。3.如申请专利范围第1项之方法,其中储存该等复数个初始化包含在一电池备援记忆体中储存复数个初始化値。4.如申请专利范围第1项之方法,其中储存该等复数个初始化値包含:在记忆体中储存至少一结构暂存器値,该记忆体可在关机状态期间维持该等値,至少一结构値是表示至少一记忆体装置的记忆体组织。5.如申请专利范围第1项之方法,其中储存至少一结构暂存器値包含:储存复数个RDRAM群结构暂存器値。6.如申请专利范围第1项之方法,其中储存该等复数个初始化値包含:在记忆体中储存一时序暂存器値,该记忆体可在关机状态期间维持该等値,该时序暂存器値是表示耦合到该记忆体控制器的复数个记忆体装置的时序値。7.如申请专利范围第1项之方法,其中储存该等复数个初始化値包含:在记忆体中储存一记忆体装置控制暂存器値,该记忆体可在关机状态期间维持该等値,该记忆体装置控制暂存器値具有一管理(Pool)选择栏位、一记忆体转移中枢提供栏位、及一空隙存取准许栏位。8.如申请专利范围第1项之方法,其中储存该等复数个初始化値包含:在记忆体中储存一页策略値,该记忆体可在关机状态期间维持该等値。9.如申请专利范围第1项之方法,其中储存该等复数个初始化値包含:在记忆体中储存一功率管理暂存器,该记忆体可在关机状态期间维持该等値。10.如申请专利范围第1项之方法,其中储存该等复数个初始化値包含:在记忆体中储存至少一群边界存取値,该记忆体可在关机状态期间维持该等値。11.如申请专利范围第1项之方法,其中储存该等复数个初始化値包含:在记忆体中储存一频率値,该记忆体可在关机状态期间维持该等値。12.如申请专利范围第1项之方法,其中储存该等复数个初始化値包含:在记忆体中储存一资料完整模式値,该记忆体可在关机状态期间维持该等値。13.如申请专利范围第1项之方法,其中进入该关机状态包含:关闭该记忆体控制器的电力。14.如申请专利范围第1项之方法,其进一步包含:感测一暂时停止结束事件;及启动该记忆体控制器。15.如申请专利范围第1项之方法,其中在该记忆体控制器中的复数个储存位置是建构暂存器,其中启动该记忆体控制器包含将所有结构暂存器重新设定成一预设状态。16.如申请专利范围第1项之方法,其进一步包含:当该等复数个初始化运算元载入一记忆体控制器控制暂存器时,可透过执行复数个初始化操作而返回正常操作。17.如申请专利范围第1项之方法,其中返回正常操系进一步包含:开始一时脉产生器;执行一记忆体介面初始化工作;及执行复数个记忆体装置的核心初始化。18.如申请专利范围第1项之方法,其进一步包含:执行从一中间校准値开始的一电流校准序列。19.如申请专利范围第1项之方法,其中执行一电流校准序列包含:将在一记忆体控制器的储存位置中的一电流校准初始化运算元程式化;及执行透过该电流校准初始化运算元所指示的一电流校准初始化工作。20.如申请专利范围第1项之方法,其中执行该电流校准包含:将一核心初始化工作执行六次。21.如申请专利范围第1项之方法,其进一步包含:设定一设定初値完成位元;及复原正常记忆体存取操作。22.一种系统,其包含:一处理器;一记忆体控制器,其是耦合到处理器,该记忆体控制器具有一控制暂存器;一记忆体滙流排,其具有耦合的复数个记忆体装置,该记忆体滙流排是耦合到该记忆体控制器;一记忆体,其可在一关机状态期间维持该等値;一额外记忆体装置,其是耦合到该记忆体控制器,该额外记忆体装置可在初始化复数个记忆体装置之前存取该记忆体控制器,该额外记忆体装置包含复数个指令,如由系统执行,可使系统执行:将来自在记忆体控制器中复数个储存位置的复数个记忆体初始化値储存到记忆体,该记忆体可在一关机状态期间维持该等値,复数个记忆体初始化値需要存取在该记忆体滙流排上的复数个记忆体装置;进入该关机状态;及当退出关机状态时,复原在记忆体控制器中的复数个储存位置的复数个値;及返回正常操作。23.如申请专利范围第22项之系统,其中该记忆体控制器可进一步包含耦合的一控制电路,以便在复数初始化运算元于返正常操作处理期间载入该控制暂存器时,可执行复数个初始化工作。24.一种包含具有储存复数个指令的一机器可读媒体之物件,如果可透过机器执行,可使机器执行:将来自在一记忆体控制器中复数个储存位置的复数个记忆体初始化値储存到一记忆体,该记忆体可在一关机状态期间维持该等値,该等记忆体初始化値必需存取一系统记忆体;进入该关机状态;及当退出该关机状态时,复原在该记忆体控制器中复数个储存位置的复数个初始化値。25.如申请专利范围第24项之物件,其中该机器可读媒体是一储存装置。26.如申请专利范围第24项之物件,其中该机器可读媒体是一载波。图式简单说明:图1是描述在一记忆体控制器中使用建构暂存器的一系统之具体实施例,以指定记忆体初始化的初始化工作。图2是描述在图1的系统的一具体实施例程视化及执行初始化工作流程图。图3是根据载入控制与资料暂存器的値而描述执行记忆体初始化的一记忆体控制中枢具体实施例。图4是描述一记忆体装置核心初始化工作流程图。图5是描述在图6-9所示实施一初始化流程的系统具体实施例。图6是描述在图5所示系统记忆体子系统的一整个初始化序列具体实施例流程图。图7是描述一串列装置识别处理的具体实施例。图8A-8C是描述一群装置确认处理的具体实施例。图9是描述一记忆体装置核心初始化处理的具体实施例。图10是描述从一暂时停止随机存取记忆体的电力管理状态返回处理的具体实施例。
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