蚀刻氧化铟锡之方法

摘要

本发明是一种无氢的电浆蚀刻氧化铟锡之方法，其利用以氯为主成分(即，氯占了蚀刻气体的原子百分比至少为20%，并且最好至少占50%)的蚀刻气体所产生之电浆。蚀刻系在100℃或更低的基材温度下进行。该含氯的气体最好是Cl2。该蚀刻气体可进一步包含无反应性的气体，用来提供被蚀刻之表面的离子轰击，并且该蚀刻气体最好是氩气。本发明提供一种乾净又快速之蚀刻氧化铟锡的方法。本发明之方法对于蚀刻半导体薄膜堆叠特别有用，该薄膜堆叠含有至少一层曝露在氢之下会被不利地影响之物质，例如N型或P型掺杂矽。

主权项

1.一种无氢的电浆蚀刻氧化铟锡之方法,其中该方法至少包含将氧化铟锡暴露在由一蚀刻气体所产生的电浆中,该蚀刻气体包含至少原子百分比20%的氯且不含氢,其中该蚀刻气体包含Cl2且无反应性气体,该无反应性气体系选自由氩气、氙气、氪气及其组合所组成之群组,且其中该Cl2与该无反应性气体之体积流速比系介于1:4与4:1之间。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述Cl2与该无反应性气体系以介于1:1至1.5:1范围内之体积流速比予以供给。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中上述Cl2与该无反应性气体系以1:1之体积流速比予以供给。4.一种无氢的电浆蚀刻氧化铟锡之方法,其中该方法至少包含将氧化铟锡暴露在由一蚀刻气体所产生的电浆中,该蚀刻气体包含至少原子百分比20%的氯,其中该蚀刻气体中不包含氢,且其中掺杂矽系位于该氧化铟锡正下层,并在蚀刻该氧化铟锡过程中暴露。5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中上述方法系在100℃或更低之基材温度下进行。6.如申请专利范围第4项所述之方法,其中氯至少占该蚀刻气体之原子百分比50%。7.如申请专利范围第4项所述之方法,其中上述蚀刻气体包含Cl2。8.如申请专利范围第4项或第5项或第6项或第7项所述之方法,其中上述蚀刻气体更包含一无反应性气体,该无反应性气体系选自由氩气、氙气、氪气及其组合所组成之群组。9.如申请专利范围第8项所述之方法,其中上述无反应性气体为氩气。10.如申请专利范围第8项所述之方法,其中上述Cl2与该无反应性气体系以介于1:4至4:1范围内之体积流速比予以供给。11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中上述Cl2与该无反应性气体系以介于1:1至1.5:1范围内之体积流速比予以供给。12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中上述Cl2与该无反应性气体系以1:1之体积流速比予以供给。图式简单说明:第1A图与第1B图是在应用材料公司(Applied Material Co.)的CENTURADPSTM多加工室之多晶矽蚀刻系统中所使用之个别的多晶矽蚀刻加工室的图示,其为根据本发明之方法来蚀刻氧化铟锡之蚀刻制程装置的例子。第2图显示CMOS元件的薄膜堆叠,由上至下包含下列几层:光阻遮罩202;氧化铟锡204;P型矽206;I型(即无掺杂的)矽208;N型矽210;钛的障壁层212;铝/铜合金214;与矽基材216。