内置保护P型高压金属氧化物半导体管

摘要

本发明公开了一种内置保护P型高压金属氧化物半导体管，包括P型衬底，在P型衬底的上方设有N型外延接触孔、源、漏、场氧化层和多晶栅，在多晶栅的下方有栅氧化层，在N型外延接触孔、源、漏、场氧化层及多晶栅的上方有氧化层，在漏和场氧化层的下方设有P型漂移区，在N型外延接触孔及源上设有铝引线、在多晶栅和漏上分别设有铝引线，在N型外延接触孔、源及P型漂移区与P型衬底之间设有N型杂质区，位于多晶栅的末端下方并在场氧化层的下面设有N型保护阱且该N型保护阱位于P型漂移区内。本发明引入了N型保护阱，N型保护阱可以增大多晶栅末端的电场曲率半径、降低由于多晶栅末端电位突变引起的电场聚集，从而提高了器件击穿电压。

主权项

1、一种内置保护P型高压金属氧化物半导体管，包括P型衬底(1)，在P型衬底(1)的上方设有N型外延接触孔(2)、源(3)、漏(4)、场氧化层(5)和多晶栅(6)，在多晶栅(6)的下方有栅氧化层(7)，在N型外延接触孔(2)、源(3)、漏(4)、场氧化层(5)及多晶栅(6)的上方有氧化层(8)，在漏(4)和场氧化层(5)的下方设有P型漂移区(12)，在N型外延接触孔(2)及源(3)上设有铝引线(9)、在多晶栅(6)和漏(4)上分别设有铝引线(10、11)，其特征在于在N型外延接触孔(2)、源(3)及P型漂移区(12)与P型衬底(1)之间设有N型杂质区，位于多晶栅(6)的末端下方并在场氧化层(5)的下面设有N型保护阱(13)且该N型保护阱(13)位于P型漂移区(12)内。