| 发明名称 |
Verfahren zum Passivieren anodischer Bondgebiete, die über elektrisch aktiven Strukturen von mikroelektromechanischen Systemen angeordnet sind (Microelectromechnical System: MEMS) |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE10129821(C2) |
申请公布日期 |
2003.06.18 |
| 申请号 |
DE20011029821 |
申请日期 |
2001.06.13 |
| 申请人 |
X-FAB SEMICONDUCTOR FOUNDRIES AG |
发明人 |
FREYWALD, KARLHEINZ;KNECHTEL, ROY |
| 分类号 |
B81B7/00;B81C1/00;(IPC1-7):B81C3/00;H01L21/58;H01L21/56;H01L23/28 |
主分类号 |
B81B7/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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