发明名称 |
平板式电阻电容及其制造方法 |
摘要 |
本发明涉及一种平板式电阻电容及其制造方法,其特点是:利用压板技术在高介电系数基材表、底面分别形成铜层而构成基板,又在基板上依序进行光阻涂布、影像转移、蚀刻等步骤后构成平板式电容,随后将具有高电阻系数的导电层印刷至基板的适当位置以构成平板式电阻,上述内建式的平板电阻、电容可大量释放出印刷电路的表面空间,提高被动元件密度,并有助于降低传输线上寄生的电容、电感及电阻,以增进信号输送品质。 |
申请公布号 |
CN1111875C |
申请公布日期 |
2003.06.18 |
申请号 |
CN98124228.6 |
申请日期 |
1998.11.10 |
申请人 |
华通电脑股份有限公司 |
发明人 |
林文彦;黄士庭 |
分类号 |
H01C7/00;H01G4/33;H05K1/16 |
主分类号 |
H01C7/00 |
代理机构 |
上海专利商标事务所 |
代理人 |
潘帼萍 |
主权项 |
1.一种平板式电阻电容的制造方法,其特征在于包括:一在具备固定的高介电系数与厚度的基材表底面分别形成铜层,经控制相对铜层的面积以取得所需容值的电容,以构成基板的步骤,一在基板上涂布光阻并进行影像转移的步骤,一在基板上进行影像蚀刻,而分别在基材上形成适当面积的铜层,以构成平板式电容的步骤,一去除光阻步骤,一在基板上印刷由钨金属或导电高分子构成的导电层,以构成平板式电阻的步骤。 |
地址 |
中国台湾 |