发明名称 低压燃烧合成氮化硅或氮化硅铁的方法及设备
摘要 低压燃烧合成氮化硅或氮化硅铁的方法及设备。本发明涉及无机非金属材料的制备方法。本发明以硅粉或硅铁粉为原料,加入稀释剂氮化硅或氮化硅铁细粉制成配合料,在立式燃烧合成反应炉中,控制加入配合料的料量,控制氮气压力为0.01~3MPa,并在900℃~1850℃之间进行连续或间断燃烧合成,燃烧合成后的氮化硅或氮化硅铁经自然冷却或强制冷却后,呈块状的成品,再经球磨机、振动磨机或其它磨碎设备制成粉末。解决了现有燃烧合成氮化硅或氮化硅铁方法不能连续、规模生产的问题,实现了既可以间断又可以连续大规模生产氮化硅或氮化硅铁。
申请公布号 CN1424249A 申请公布日期 2003.06.18
申请号 CN02158760.4 申请日期 2002.12.26
申请人 北京科技大学 发明人 孙加林;洪彦若;祝少军
分类号 C01B21/06;C01B21/068;C04B35/591;C04B35/584 主分类号 C01B21/06
代理机构 北京科大华谊专利代理事务所 代理人 杨玲莉
主权项 1、一种低压燃烧合成氮化硅或氮化硅铁的方法,以硅粉或硅铁粉为原料,通入氮气,其特征在于:a)加入稀释剂氮化硅或氮化硅铁细粉制成配合料,重量配合比为稀释剂∶原料=100∶5~80,混合时间4~40分钟;b)在立式燃烧合成反应炉中,预热氮气,预热温度在常温至1200℃之间;c)控制加入上述配合料的料量,控制氮气压力为0.01~3Mpa,并在900℃~1850℃之间进行连续或间断燃烧合成;d)将燃烧合成后的氮化硅或氮化硅铁自然冷却或强制冷却,再经球磨机、振动磨机或其它磨碎设备制成粉末。
地址 100083北京市海淀区学院路30号