| 发明名称 | 一种晶体半导体材料系列A<SUB>2</SUB>MM'<SUB> 3</SUB>Q<SUB>6</SUB> | ||
| 摘要 | 一种晶体半导体材料系列A<SUB>2</SUB>MM’<SUB>3</SUB>Q<SUB>6</SUB>，涉及半导体材料领域，其中A＝Na，K，Cs；M＝Cu，Ag；M’＝Ga，In；Q＝S，Se，Te。用反应性融盐法，以K<SUB>2</SUB>Se<SUB>4</SUB>为反应性融盐，按1～1.2∶1～1.2∶1～1.2∶5～6的摩尔比，用In粒，Cu粉，Se粉，置于玻璃管中，真空密封后在500℃～550℃反应合成并同时制备单晶体。该系列晶体用于光敏产品计数器、光电继电器及工业生产的自动控制装置。 | ||
| 申请公布号 | CN1424440A | 申请公布日期 | 2003.06.18 |
| 申请号 | CN01143233.0 | 申请日期 | 2001.12.14 |
| 申请人 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 发明人 | 马宏伟;郭国聪;黄锦顺 |
| 分类号 | C30B29/46 | 主分类号 | C30B29/46 |
| 代理机构 | 福州科扬专利事务所 | 代理人 | 何小星;林朝熙 |
| 主权项 | 1.一种晶体半导体材料系列A<sub>2</sub>MM’<sub>3</sub>Q<sub>6</sub>，其中A＝Na，K，Cs；M＝Cu， Ag；M’＝Ga，In；Q＝S，Se，Te，其特征在于：它们的分子式，空间群，单 胞参数，单胞内分子数Z，单胞体积V分别为： K<sub>2</sub>CuIn<sub>3</sub>Se<sub>6</sub>空间群为C<sub>2h</sub><sup>6</sup>-C2/c(No15)，单胞参数为a＝11.445(2)， b＝11.495(2)，c＝21.263(4)，β＝97.68(3)°，Z＝8，单胞体积V＝2772.19<sup>3</sup>； K<sub>2</sub>AgIn<sub>3</sub>Se<sub>6</sub>空间群为C<sub>2h</sub><sup>6</sup>-C2/c(No15)，单胞参数为a＝11.632(1)， b＝11.587(1)，c＝21.355(1)，β＝98.01(2)°，Z＝8，单胞体积V＝2850.38<sup>3</sup>； K<sub>2</sub>CuGa<sub>3</sub>Se<sub>6</sub>空间群为C<sub>2h</sub><sup>6</sup>-C2/c(No15)，单胞参数为a＝11.031(2)， b＝11.050(4)，c＝20.808(7)，β＝97.71°(2)，Z＝8，单胞体积V＝2513.41<sup>3</sup>。 | ||
| 地址 | 350002福建省福州市西河 | ||